過去幾個月里，三星的晶圓代工業務一直處在風暴的中心。今年初先是傳出三星電子管理層決定針對半導體工藝的相關問題展開調查，接著又爆出了員工泄密事件，隨后先進制程的良品率和效能問題，導致高通和英偉達將新品訂單轉向臺積電（TSMC），近期的統計數據顯示，由于訂單流失，三星成為排名前十代工廠中唯一負增長企業。

最近三星的實際負責人李在镕前往歐洲，其中一項日程就是前往荷蘭的ASML，商討雙方未來的合作，以獲得更多的極紫外（EUV）光刻機。據韓聯社報道，預計三星將會在下周宣布3nm工藝量產，在新一代制程工藝的生產時間上搶先于臺積電。

三星將在3nm制程節點引入了全新的GAAFET全環繞柵極晶體管工藝，與現有的FinFET相比，可實現30%的性能提升、50%的功耗降低、以及減少45%的面積。相比之下，臺積電的N3制程節點仍將使用FinFET，不過會引入FINFLEX技術，量產時間將會在今年下半年，有傳言稱是8月份。

在月初的歐洲之行結束后，李在镕就表示：

“第一是技術，第二是技術，第三也是技術。”

雖然三星已下定決心投入更多資金用于先進半導體技術的研發，以求在未來數年內趕超臺積電，不過前路依舊困難重重。多個消息渠道表明，即便三星搶先量產3nm工藝，也面臨缺乏客戶訂單的窘況。Business Korea稱，三星將會在2025年量產2nm工藝，在下一代半導體工藝上與臺積電仍保持同步。