6月27日，半導體電子材料咨詢公司TECHCET報告稱，2021年，ALD/CVD前驅體市場總額增長了21%，達到13.9億美元，預計2022年將增長12%。2022年的前驅體市場將超過15.6億美元，原因是受小于7nm邏輯器件產量增加和3D NAND器件堆疊層數增加的驅動，行業整體增長強勁。DRAM制造向EUV光刻的過渡也將帶來前驅體收入增加的機會。

TECHCET高級技術分析師Jonas Sundqvist表示：“ALD和CVD是一個材料和化學成分豐富的細分行業，具有重大的發展努力，增長前景強勁，對新材料的需求也很大，同時滿足成本和性能的新制造解決方案將依賴ALD前驅體材料。”

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新材料和相關工藝技術正受到器件設計變化的推動。對于先進的邏輯，晶體管需要新的前體來形成高k柵介質和金屬柵極材料等等。

DRAM存儲單元繼續追求更高k值的電容器。而先進的設備，需要改進的互連布線、絕緣體以及新的或更多的介質，以支持EUV和先進的ArF光刻。

由于材料的尺寸不斷縮放，特別是ALD沉積的新材料，新的挑戰仍然存在。在過去的5年里，區域選擇性沉積已經成為一種趨勢，越來越多的研發機構將這種方法應用到未來的器件中。