韓國三星電子周四宣布，公司已經開始大規模生產3納米芯片，是全球首家量產3納米芯片的公司。

三星在官方聲明中表示，公司已經開始在其位于韓國的華城工廠大規模生產3納米半導體芯片。與前幾代使用FinFET的芯片不同，3納米芯片采用了新的 GAA（Gate All Around）晶體管架構，該架構大大改善了功率效率。與傳統的5納米芯片相比，第一代3納米芯片工藝可以降低45%的功耗，提高23%的性能，并減少16% 的面積。而第二代3納米芯片工藝則可以降低50%的功耗，提高30%的性能，面積減少35%。

雖然三星沒有透露其最新代工技術的客戶身份，但市場預計，三星本身和中國芯片設計公司上海磐矽半導體將是3納米芯片的首批客戶。

三星3納米芯片量產使得其生產進度略快于同行。在同業競爭方面，臺積電和英特爾分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規模生產3納米芯片。

雖然三星是全球第一個生產3納米芯片的公司，但臺積電正計劃在2025年實現2納米芯片的全球首個批量生產。

在本月初的股東會上，臺積電董事長劉德音才強調，臺積電的先進制程的進展都按照計劃發展中，預計2022下半年將量產3納米芯片。與三星不同的是，臺積電將仍采較為成熟的FinFET（Fin Field Effect Transistor，FinFET）工藝。一直到2025年量產2納米時，才會采用GAA技術。

在市場份額方面，臺積電依然牢牢保持的全球市場第一的寶座。根據TrendForce 的數據，目前臺積電控制著全球54%的芯片合同生產市場，三星以16.3%的市場份額排名第二。