8月4日消息，據美國白宮當地時間周三（3日）發布公告，美國總統拜登將于當地時間8月9日簽署價值約527億美元的芯片補貼法案，包括為晶圓廠提供價值約240億美元的投資稅收抵免。拜登表示，“該法案有助于我們為美國本土半導體制造注入活力”。

需要指出的是，該法案也明確要求獲得美國“芯片法案”補貼支持的半導體企業，在未來十年內禁止在中國大陸新建或擴建先進制程的半導體工廠。此舉或將使得臺積電、三星、英特爾、環球晶圓等眾多已經或正計劃在美國投資的廠商陷入兩難，因為接受補貼，將導致其后續在中國大陸的投資受阻。

在“芯片法案”即將落地的同時，近期美國為限制中國大陸半導體產業的發展還打出一套“組合拳”。一方面，對中國大陸禁售14nm及以下先進制程設備，同時爆料還顯示，美國還將對中國大陸禁售128層3D NAND制造所需的設備。這也意味著，即使臺積電、三星、SK海力士等芯片制造商未來即使想在中國大陸發展先進也將受限。

此外，美國還計劃對中國大陸禁售與GAA（環繞柵極）相關的EDA工具，這將限制中國大陸芯片設計廠商向尖端制程發展，等于是阻斷了臺積電、三星、英特爾獲取來自中國客戶的尖端制程芯片的訂單。

在此背景之下，將進一步迫使臺積電、三星、SK海力士等芯片制造商重新考慮未來在中國大陸的投資布局計劃，并將其吸引到對美國的投資。

據金融時報當地時間8月3日報道，受美國芯片法案限制條款及美國持續限制大陸半導體產業發展的背景之下，韓國三星電子和SK海力士開始重新評估中國大陸投資案。

資料顯示，三星西安NAND Flash閃存工廠是三星唯一的海外閃存工廠。其中，三星西安閃存工廠一期項目（第一工廠）于2012 年9 月開工，2014 年5 月投產，預計總投資為70 億美元，但隨后在一期項目進行擴建后，使得整體投資金額達到了108.7 億美元。

2017年8月30日，三星決定投資70億美元在西安高新區進行二期項目建設，即建設第二座12吋NAND Flash晶圓廠，隨后在2019年12月，三星計劃再投資80億美元對于第二工廠進行擴產，使得總投資金額到150 億美元。此前，三星西安NAND Flash第二工廠已于2021年投產，而第二工廠的擴產也已于今年2月完成，數月前已開始投產。

統計數據顯示，目前三星在西安的兩座3D NAND工廠，投片量占該公司 NAND 閃存總產能的 42.3%，全球產能占比也高達 15.3%。

至于SK海力士，其于2020年收購了英特爾NAND閃存業務，其中包括英特爾大連閃存工廠。2021年，SK海力士順利完成第一階段交割。為加快推動項目發展，決定在大連繼續擴大投資并建設新工廠。

在大連新建NAND閃存工廠的同時，SK海力士還通過追加投資對無錫、重慶工廠進行了產能擴充，并重點推進了8英寸晶圓代工合資廠、產業園等多個不同領域的在華項目。

資料顯示，目前SK海力士的晶圓代工業務，主要由旗下的SK Hynix System IC負責。SK Hynix System IC已經將原本在韓國清州的8吋晶圓廠（M8）搬到了中國無錫，原本的月產能約為10萬片8吋晶圓，主要生產8吋CMOS圖像傳感器（CIS）及電源管理芯片。在晶圓代工市場方面，占據約2%的市場份額。

報道稱，一位資深韓國官員表示，隨著時間過去，韓國在中國的數項新的芯片投資案可能會遭“放棄”，“要是中方不開心，得去跟美國談”，這顯示美國力促芯片大廠脫中轉美的努力，初見成效。

SK Securities研究主管兼韓國政府半導體政策顧問Kim Young-woo說，芯片法案當中防堵中國大陸的“護欄”條款，促使韓國芯片廠未來布局從中國轉向美國。美中科技戰讓韓國廠商反思，如今的地緣政治風險，讓他們更偏向美國。三星和SK海力士如果不使用美國設備和技術，則無法量產尖端芯片，兩家公司或將在美國打造更多工廠。如果必須在美中之間做抉擇，他們只能挑選美國。

今年5月才卸任的韓國經濟部官員Yeo Han-koo也說，韓企開始“調整”美中策略。新經濟秩序正在型塑當中，企業重新評估局面，并據此調整戰略。