8 月 16 日消息，據外媒 THELEC 今日報道，半導體業界人士透露，SK 海力士計劃最早明年上半年量產采用 238 層 NAND（V8）的最新 UFS 4.0 閃存。

根據 SK 海力士制定的 UFS 4.0 內存開發計劃，其將在 UFS 4.0 閃存上主要搭載 V7 和 V8 NAND，其中 V8 是 SK 海力士開發的世界上首個 238 層 NAND 閃存，與 176 層 NAND（ V7 ）相比能源消耗減少了 21%。其采用了 4D 封裝技術，與 3D 封裝相比，前者在減少單位單元面積的同時，生產效率也更高。

THELEC 還透露了 SK 海力士正在開發的 UFS 4.0 閃存的數據處理速度：連續讀取 4000 MB/s，連續寫入 2800 MB/s。外形規格為 11×13×0.8mm。僅從速度來看，現在曝光的速度可能只搭載了 V7 NAND。

作為對比，三星在 5 月 4 日首發的 UFS 4.0 的閃存采用的是 176 層 NAND（V7），連續讀取 4200 MB/s，連續寫入 2800 MB/s，外形規格為 11×13×1mm。

此前有消息稱 SK 海力士 238 層 NAND 閃存的數據傳輸速度為 2.4Gbps，相比前一代產品提高了 50%，現在來看還未應用到 UFS 4.0 中。

▲ SK 海力士開發的 238 層 512GB TLC 4D NAND 閃存

據 THELEC 稱，目前，SK 海力士已經向主要客戶公司供應了 238 層 NAND 樣品，計劃明年上半年量產，因此，搭載 V8 NAND 的 UFS 4.0 內存也有望最早從明年上半年開始批量生產。

UFS 4.0 閃存是是今年 5 月正式批準的最新標準，其數據傳輸帶寬為 23.2 Gbps，是之前 UFS 3.1 的兩倍，帶寬越大，數據處理速度就越快。