眾所周知，制造7nm及以下工藝的芯片，需要用到EUV光刻機，而全球僅有ASML能夠生產。

ASML在2015年，就推出了第一代EUV光刻機WINSCAN NXE:3400B，之后在2019年推出了NXE:3400C，2021年推出了NXE:3600D。

不過據稱，NXE:3600D型號的EUV光刻機，支持的工藝可能僅到3nm，如果要制造2nm的芯片，光刻精度還要提升，需要新一代的High-NA極紫外光刻機才行。

而光刻精度怎么提升，就是數值孔徑的提升了， 前幾代光刻機，比如3400B/C、3600D的數值孔徑都是0.33NA的，解析度（精度）為13nm，單次構圖間距為32nm到30nm。

而要生產2nm的芯片，數值孔徑要變為0.55NA，也就是解析度（精度）為8nm，這樣可以更更快更好地曝光更復雜的集成電路圖案，同時單次構圖間距低于30nm。

這種新的EUV光刻機叫做型號，就叫做EXE:5200，目前ASML已經有了規劃，預計在2024年底，或者2025年交付。

而基于0.55NA數值孔徑的光刻機，光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍、同時密度增加2.9倍，其處理晶圓的能力是每小時處理220片12寸晶圓左右，真正用于制造3nm以下的芯片。

一小時處理220片12寸的晶圓，其產能有多大？如果是蘋果A16這樣的芯片，一塊晶圓可以切割600塊左右，理論上一臺這樣的光刻機，一年可以就光刻10億顆以上……

至于價格方面，ASML表示，其0.55NA的下一代EUV光刻機單價將達到3億多美元（約合20億元人民幣）。

至于買家，當然只有臺積電、三星、英特爾三家才有資格購買，其它的晶圓廠，能夠買到0.33NA的EUV光刻機，就已經非常不錯了，不要想這種0.55NA的。

當然，如果不生產7nm及以下的晶圓，EUV光刻機都不需要，DUV就夠了，更就不用糾結這3億多美元一臺的0.55NA的EUV光刻機了。