眾所周知，目前最牛的光刻機(jī)，還是ASML的EUV光刻機(jī)，用于7nm及以下工藝芯片的光刻，且全球只有ASML能夠制造EUV光刻機(jī)。

自從2015年推出第一代EUV光刻機(jī)后，ASML目前也發(fā)展了3代，從最開始NXE:3400B，到NXE:3400C再到NXE:3600D，預(yù)計在今年可能會推出新一代的機(jī)器，叫做NXE:5000。

而到2025年可能會推出全新一代的High-NA EUV光刻機(jī)。何謂High-NA EUV，即高數(shù)值了孔徑的EUV光刻機(jī)。

之前的EUV光刻機(jī)，其數(shù)值孔徑（NA）為0.33。而High-NA EUV光刻機(jī)，其NA達(dá)到了0.55。

數(shù)值孔徑高了，有什么用？值孔徑代表的其實(shí)是解析度（精度），數(shù)值孔徑越高，解析度越高，精度也就越高，這樣可以更好，更快的曝光更復(fù)雜的集成電路圖案，降低單次構(gòu)圖間距。

比如數(shù)值孔徑為0.55的High-NA EUV光刻機(jī)，就可以用于2nm芯片的光刻，而數(shù)值孔徑為。0.33NA的EUV光刻機(jī)，主要用于3nm-7nm芯片的光刻。

那么全新一代的High-NA EUV光刻機(jī)之后，又會是什么樣的光刻機(jī)？近日ASML的首席技術(shù)官M(fèi)artin van den Brink接受媒體采訪后表示，這可能是EUV最后一代技術(shù)了。

也就是說2025年推出全新的High-NA EUV光刻機(jī)NXE:5200之后，可能無法再提升數(shù)值孔徑，只能維持在這個精度了。

Martin van den Brink表示，雖然ASML以研究，想要再提升數(shù)值孔徑，但目前無法解決難題，并且由于制造成本過高，經(jīng)濟(jì)上也不可行，所以NXE:5200可能是最后的EUV光刻機(jī)了。

那么NXE:5200之后，會是什么樣的技術(shù)？近日美國某公司推出了電子束光刻機(jī)，能夠制造0.768nm的芯片，但無法批量制造芯片，只能小規(guī)模的生產(chǎn)。另外還有俄羅斯在研究“無掩膜X射線光刻機(jī)”等，據(jù)稱能夠比EUV光刻機(jī)精度更高。

就看這些與EUV不同的技術(shù)，能不能實(shí)現(xiàn)更高的精度，并且能夠批量生產(chǎn)了，否則摩爾定律可能真的到了2nm之后，就要失效了，芯片工藝無法再前進(jìn)了，因為光刻機(jī)精度無法再提高了。