10月26日，Alphawave公司表示，其已經流片了業界首批使用臺積電第二代3nm制造技術的芯片之一，并成功通過了所有必要的測試，該芯片將于本周晚些時候在臺積電的OIP論壇上展示。

（圖片來自Alphawave IP）

首款采用臺積電第二代3nm工藝打造的芯片，是Alphawave IP ZeusCORE100 1-112Gbps NRZ/PAM4串行器-解串器，支持未來幾年將要流行普及的多種標準，其中包括800G以太網、OIF 112G-CEO、PCle 6.0和CXL3.0。這種芯片在高速數據傳輸領域十分常見，是高速數據傳輸的接口電路，數據中心經常會用到這一芯片。

臺積電計劃在未來2-3年推出多達五種3nm級別的工藝技術，第一代3nm工藝預計會被大客戶蘋果用于少數芯片設計，而第二代N3E則更加成熟，意味著可以實現大規模量產，而且擁有更高性能與更低功耗。

（圖片來自臺積電官方）

據編者了解，N3E的應用范圍將會比N3更大，但大規模量產還得等到2023年中期或2023年第三季度，大概在臺積電N3大規模量產的一年后。此后，臺積電還會再增加三個3nm節點，比如面向性能的N3P、用于更高晶體管密度的N3S，以及用于微處理器等產品的N3X。

在3nm這個工藝節點上，臺積電確實要比三星慢了一點，后者利用GAA FET實現“彎道超車”，率先量產，而前者依舊打磨Fin FET工藝。但三星的3nm量產進度并沒有那么理想，目前還做不到大規模量產，而且良品率也低得可憐。編者認為，在這種情況下，穩扎穩打的臺積電還是有機會跟上三星的。

（圖片來自Pixabay）

現在晶圓制造工藝越來越精密，所以每向前跨越一個節點，所需要的時間都比此前的工藝更長，3nm作為下一個技術節點，應用時間還會更長。而我們短期內也不會看到大量的3nm芯片上市，這一切都要等晶圓代工做好量產準備，芯片設計方案到位才行。