如今，光刻機一直限制著國產芯片的發展，為了突破限制，國家正在大力推進光子芯片，其原理跟硅芯片不同，運算速度可提升1000倍以上，而且不依賴先進的光刻機，比如EUV光刻機，因此是各國爭相發展的新一代信息科技。

近日有消息稱，國內首條“多材料、跨尺寸”的光子芯片生產線已在籌備，預計將于2023年在京建成，可滿足通信、數據中心、激光雷達、微波光子、醫療檢測等領域需求，有望填補我國在光子芯片晶圓代工領域的空白。

據悉，光子芯片是光電子器件的核心組成部分，與集成電路芯片相比存在多處不同。例如：從性能而言，光子芯片的計算速度較電子芯片快約1000倍，且功耗更低。

從材料而言，InP、GaAS等二代化合物半導體是光子芯片更為常用的材料，而集成電路一般采用硅片。從制備而言，光子芯片的制備流程與集成電路芯片存在一定相似性，但側重點在于外延設計與制備環節，而非光刻環節。