眾所周知，目前中國芯受到了美國的全方面打壓，涉及到技術(shù)、設(shè)備、材料、資金、人才等等方面。

在這樣的情況之下，先進工藝的進展非常受限，畢竟先進工藝高度依賴國外的設(shè)備、技術(shù)等，比如EUV光刻機等等。

在當(dāng)前的情況之下，要實現(xiàn)先進工藝的突破，必須等國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的突破，比如有國產(chǎn)EUV光刻機等全套國產(chǎn)設(shè)備，這樣才能夠助力中國芯片產(chǎn)業(yè)破除或者緩解“卡脖子”難題。

在這樣情況之下，很多人表示，那么我們可以利用小芯片技術(shù)、芯片堆疊等的技術(shù)，將不那么先進的芯片，通過多顆整合，最終實現(xiàn)先進工藝的性能，從而解決先進工藝難題。

理論上來看，確實是這樣，比如我用2顆14nm的芯片堆疊，也許確實能夠媲美7nm的芯片，用2顆7nm的芯片，也許能夠媲美5nm，甚至3nm的芯片（不一定準確，隨便說的）。

當(dāng)然小芯片技術(shù)，就更加厲害了，通過封裝技術(shù)，將不同工藝，不同類型的芯片封裝成一顆芯片，實現(xiàn)更強的功能，更高的性能。

但是，大家想過沒有，就算2顆7nm的芯片封裝在一起，達到了3nm芯片的性能，功耗怎么辦？發(fā)熱怎么辦？2顆7nm的芯片，功耗和發(fā)熱，可能是一顆3nm芯片的N倍。

更重要的是，你用2顆7nm的芯片來堆疊，別人不會用2顆3nm的芯片來堆疊么？堆疊的芯片工藝越先進，那么性能也就更高，那么堆疊后的性能差距就更大了。

當(dāng)你還在用14nm工藝來堆疊，別人用3nm芯片來堆疊了，性能差距就是幾何倍數(shù)增長了，拉得更大了。

所以先進工藝終究是繞不過的坎，不可能通過什么小芯片技術(shù)、堆疊技術(shù)，就可以繞開的，也不可能通過這些技術(shù)，就可以彌補先進工藝的。

只能說，在當(dāng)前先進工藝受阻時，可以用小芯片、堆疊的技術(shù)，暫時提升芯片的性能，最終還是要回歸到先進工藝的研發(fā)上來，不存在換道超車，或者彎道超車一說。