還有一種是后道光刻機(jī)，用于芯片后期的封裝，在芯片制造過(guò)程中，屬于后道工序，所以叫后道光刻機(jī)。

前道光刻機(jī)對(duì)光刻機(jī)的精度要求非常高，所以會(huì)有按精度分的DUV、EUV等光刻機(jī)。而后道光刻機(jī)雖然重要，但要求不一樣，主要是進(jìn)行2.5D\3D先進(jìn)封裝的光刻機(jī)，所以相對(duì)要求會(huì)低一些，所以當(dāng)前大家更關(guān)注的是前道光刻機(jī)。

而前道光刻機(jī)方面，自然ASML是老大，畢竟EUV光刻機(jī)，只有ASML能夠生產(chǎn)，而國(guó)內(nèi)自研的前道光刻機(jī)，分辨率顯示還是90nm的。

那么問(wèn)題就來(lái)了， 國(guó)產(chǎn)90nm的前道光刻機(jī)，究竟能夠生產(chǎn)幾納米的芯片，是不是就只能是90nm了？

事實(shí)上并不是的，在一些晶圓廠的實(shí)際測(cè)試中，在精度方面，90nm肯定沒(méi)問(wèn)題的，同時(shí)經(jīng)過(guò)兩次曝光，可以得到45nm的芯片，三次曝光最高可以達(dá)到22nm左右的水平。

那么有沒(méi)有可能繼續(xù)進(jìn)行第4次曝光，然后就實(shí)現(xiàn)了11nm，再進(jìn)行第5次曝光，然后實(shí)現(xiàn)10nm以下呢？理論上可以，但實(shí)際不行。

在測(cè)試中，進(jìn)行到第三次曝光時(shí)，晶圓的良率已經(jīng)降低到了一個(gè)相當(dāng)?shù)偷闹担踔劣袝r(shí)候會(huì)低于20%了。如果進(jìn)行第四次曝光，估計(jì)良率會(huì)低到離譜，至于第五次、第六次，根本不用想了，良率會(huì)接近于0%。

目前像ASML的DUV光刻機(jī)，一般最多也只進(jìn)行兩次曝光，很少進(jìn)行多次曝光，因?yàn)闀?huì)大幅度的降低良率，造成成本上升，這是得不償失的。

據(jù)稱(chēng)，目前國(guó)內(nèi)正在研發(fā)28nm精度的光刻機(jī)，那么經(jīng)過(guò)2次曝光后，能夠達(dá)到14nm，然后可以嘗試性的進(jìn)行第三次曝光，然后有可能邁入7nm。

當(dāng)然，以上只是猜測(cè)，因?yàn)榫仍礁叩墓饪虣C(jī)，多次曝光的難度也就越高了，一切還得看真機(jī)的實(shí)測(cè)才行。

所以，我們還是期待一下國(guó)內(nèi)科技企業(yè)能早日攻克EUV光刻機(jī)的技術(shù)難點(diǎn)，這樣才能盡早徹底解決芯片“卡脖子”的問(wèn)題了，而不是想著多次曝光這種取巧的、以良率換工藝的辦法。