三星正在瘋狂“囤積”，長江存儲卻再受打擊，國產存儲芯片如何邁過“冬天”？
美國存儲器大廠美光近來財測嚴峻，并警告市場需求萎縮，這讓另一巨頭三星電子的動向備受矚目。韓媒分析認為，三星不太可能追隨包括美光科技和SK海力士在內的同行的腳步，縮減產量，并對資本支出前景持謹慎態度。
消息人士指出，三星過去會在其他內存芯片制造商爭保持價格穩定時大幅降價。
根據BusinessKorea最近的一份報告，三星將在平澤的P3建立新的DRAM和半導體代工生產線，并計劃安裝10套極紫外（EUV）光刻設備。該報告沒有引用其來源。《韓國經濟日報》27日報道，三星最近曾向營建關系企業三星重工、三星工程下達價值1萬億韓元（7.886億美元）的訂單，打造廠房及電力設施。
披露第三季度財務業績時，三星估計其今年的資本支出約為54萬億韓元（425億美元），其中包括分配給公司設備解決方案（DS）部門的47.7萬億韓元。三星補充說，其內存資本支出將專注于P3和P4基礎設施，以及EUV等先進技術。
三星或推出高端存儲芯片租賃服務
韓國媒體報道稱，三星電子計劃考慮推出新的商業模式，高端存儲芯片租賃服務，尋求在價格轉為波動時也能確保穩定銷售及收益流。
報道指出，消息人士稱，三星電子近期將“存儲即服務”（memory as a service，MaaS）敲定為新業務，并正在制定實施計劃。三星計劃將用于高性能計算的存儲半導體借給谷歌等云服務公司，并收取租賃費用。三星電子希望新業務能占其動態隨機存取存儲器（DRAM）整體銷售收入的至少10%。
具體而言，在新的商業模式下，三星計劃將下一代CXL DRAM封裝和稱為SSD的數據存儲設備等用于高性能計算 (HPC) 的存儲器半導體借給包括谷歌在內的云服務公司，并從他們那里收取租金。通過以預先設定的合同價格達成交易，同時在此類芯片的整個生命周期內獲得系統管理服務，客戶將能夠降低與芯片采購相關的成本。
報道指出，對于三星而言，MaaS業務將確保三星穩定的銷售和收益流，尤其是當芯片價格在行業下行周期中大幅下跌時。
眾所周知，當前，全球存儲產業正處于行業下行周期，存儲器價格持續下跌，據市場研究機構TrendForce集邦咨詢此前預計，第四季NAND Flash和DRAM價格跌幅將分別擴大至15~20%以及13~18%。
三星在存儲和晶圓代工領域全速進擊
三星在其最近的內存技術日會議上，介紹了其DRAM和NAND業務的先進發展。
下圖顯示了三星到2030年的DRAM路線圖。為了推進10納米范圍以外的微縮，三星正在開發圖案、材料和架構方面不斷進行突破。即將推出的DRAM解決方案包括32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM和36Gbps GDDR7 DRAM。三星還談到了 HBM-PIM、AXDIMM和CXL等定制DRAM解決方案。三星計劃到 2030 年實現亞納米DRAM。
在NAND領域，NAND制造商一直在增加垂直層數方面進行激烈競爭。SK海力士和美光都推出了200多層NAND技術，不過三星的看法是“重要的不是層數，而是生產力，并且專注于提供具有價格競爭力的更好解決方案。”
三星已經生產到了第八代V-NAND產品，層數大約是230層。三星表示，其第9代V-NAND正在研發中，預計2024年量產。到 2030 年，三星相信他們將在其 V-NAND 產品中創建超過1,000層。
在三星晶圓論壇上，三星很自豪的表示，他們是第一家采用SF3E GAA 工藝開始量產3nm產品的半導體制造商。三星還稱這些晶體管為 MBCFET（MBC 代表多橋通道）。5nm和4nm的FinFET工藝還在持續發展（綠色部分）；GAA節點從現在的3nm SF3E開始，到2025年達到2nm，2027年達到1.4nm。可以看出，三星在先進制程上的發展很激進，超越臺積電，是三星長久以來的目標。
要實現摩爾定律的繼續演進，還需要先進封裝技術的支持，三星在2020年8月公布了名為“X-Cube”的3D封裝技術，并表示該技術已成功試產，可用于制造7nm和 5nm芯片。三星的封裝技術涵蓋基于中介層的解決方案 (I-Cube)、混合解決方案 (H-Cube) 以及帶或不帶凸塊的垂直芯片集成 (X-Cube)。
國產存儲芯片再次遭遇打壓
美東時間周四（12月15日），美國政府將長江存儲、寒武紀、上海微電子裝備等在內的36家中國科技公司列入了“實體清單”，以期進一步阻撓和打壓中國科技行業的發展。
長江存儲是2016年7月在中國武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司，同時也是國內存儲行業的龍頭企業。
在2021年全球集成電路產品的細分市場中，存儲芯片以35%的市場份額位居第一，其次是邏輯芯片（32%）、微處理器（17%）和模擬芯片（16%）。其中存儲芯片分類包括內存和閃存，通常說的內存是指DRAM，閃存包括NAND FLASH 和NOR FLASH，其中長江存儲生產的就是NAND FLASH。
存儲市場的規模有多大？我們從2020年中國芯片進口的數據，就可以略知一二。
2020年，我國花了24000多億人民幣進口芯片。其中，有大概7000億元是用來進口存儲芯片的。在這些存儲芯片中，有大概1300億元屬于NAND FLASH。而這1300億絕大多數都是被韓美日三國所占有，比如韓國三星，它在NAND FLASH和DRAM市場均占據優勢的市場份額，一度達到38%。之前我們造不出來內存芯片，不得不長期依賴進口，人家說什么就是什么，給你開個天價也只能捏著鼻子接受。
但自從長江存儲誕生后，這種情況就發生了巨變。
根據Trendforce對銷售數據的計算，2021年，長江存儲在全球的市占率達到3.4%。并以此預計，長江存儲的市占率在2022年可能會達到7%。雖然離三星還有一定的距離，但長江存儲在2016年才成立，可以說完全從零開始，能達到不到5%的市占率已經非常厲害了。
從技術方面來講，長江存儲有兩大核心技術，一個是Xtacking技術，另一個是3D堆疊工藝平臺。
先說說Xtacking技術，這是長江存儲基于傳統的NAND技術進行的一種突破性的創新，是完全自主可控的技術，具有自主知識產權。這種技術簡單來說，就是在指甲蓋大小的面積上實現數百萬根金屬通道的連接，合二為一成為一個整體，擁有與同一片晶圓上加工無異的優質可靠性表現。這項技術為未來3D NAND帶來更多的技術優勢和無限的發展可能，如今Xtacking技術已經到了2.0了 。
而這將會帶來更快的傳輸速度和更高的存儲密度，比如曾經一個采用Xtacking 2.0的測試芯片，讀取速度達到了7500 MB/s，寫入速度也高達5500 MB/s，這對消費端用戶來說，絕對是好事一樁。
而3D堆疊工藝平臺也是具有創新性的，而且這項技術不僅可以用于NAND領域，在DRAM、CMOS、邏輯等很多領域也會有很好的運用。
2017年，長江存儲做出了中國首款32層3D NAND，終結了存儲巨頭們長達數十年的技術壟斷。
2018年，長江存儲發布了業界首創的Xtacking技術，實現了讀取速度和存儲密度的雙重大幅提升。
尤其是前不久，長江存儲實現了232層3D NAND閃存的量產準備，擊敗了在這一行業中根深蒂固的玩家Kioxia、美光科技、三星電子和SK海力士，率先實現了200層以上NAND的生產成就，這標志著中國在存儲芯片技術上已取得領先優勢。
換句話說，長江存儲用了5年左右的時間，已經趕超國外一些先進大廠，說咱們已經實現彎道超車，一點問題沒有。
中國大陸存儲芯片產業如何走出至暗時刻
美國政府將蘋果采購長江存儲的3D NAND閃存芯片提高至國家安全問題，如果長江存儲和合肥長鑫真的就此發展停滯甚至倒下，那么我國的信息安全如何得到保障？我國供應鏈穩定不被隨時“卡脖子”如何保障？未來產業鏈的可持續發展如何保障?
1986年日本廠商在全球半導體市場所占份額超過50%，在世界DRAM市場所占的份額達到了80%。但由于未能把握消費級PC時代，加上美國通過廣場協議以及日美半導體協定的限制和韓國的強勢沖擊，日本半導體產業獲利能力下降，市占份額急速下滑，走向了衰敗的開始，今天日本半導體廠商在全球半導體市場所占份額僅僅約10%。
目前，在美國無底線的行動下，中國大陸集成電路產業發展的良好形勢沒有最壞，只有更壞。中國大陸存儲芯片產業已經乃至中國大陸芯片產業已經面臨至暗時刻，我們如何才能吸取他人的經驗教訓，不重蹈覆轍？
面對外部復雜的環境，我們絕對不能放松警惕。我們要拋棄一切幻想，行動起來，以更加開放的態度繼續促進跨全球供應鏈的合作。同時企業自身繼續頑強拼搏，政府要引導產業鏈上下游加強聯動，保護好中國大陸芯片產業鏈的基本面。
為此必須實施技術創新、自主研發、自主生產的國家戰略。對此我們仍要不斷堅持產業升級，不能因為限制而放棄發展；不斷提升研發投入，攻克“卡脖子”技術，早日走出一條自立自強的發展道路。
在戰略層面，要中央統籌，整合各方資源。首先大力招募高端技術人才，通過技術引進+自主開發，在引進、吸收現有的成熟技術基礎上，集成創新實現自主開發，逐步追趕先進工藝，直到超越；其次積極布局新型存儲器技術研究和開發，對目前的幾個新技術包括RRAM、MRAM、PRAM等均應投入資金和人才研究，而不要停留在討論那種技術未來可能勝出。只要能量產，總有用武之地。
在政策方面，由政府引導積極推進國產化戰略，加大信息產業整機和芯片的國產化率，真正實現安全可控。通過稅收調控，引導和鼓勵存儲器產業的投融資，構建良好的產業環境。
在資金層面，必需堅持持續、長期、大量的投資。如果我國定位于超越第一集團，扮演市場的領導者角色，需要達到30%左右的市場份額。考慮現有技術的授權和吸收，生產技術的更新換代，新技術的研究和開發，總投資應該是1萬億元甚至更多，并且這個投資是連續的、長期的。
在市場方面，國內的市場非常巨大，每年本地市場最少要消耗近1000億美元的存儲芯片。在如此巨大的市場推動下，能更好的發揮上下游的優勢，改變目前存儲芯片國外壟斷造成的被動局面。
不要以為美國還給一口氣讓我們發展成熟工藝，在中國存儲的生死存亡的關鍵時刻，我們更要摒棄幻想，精誠團結，沉下心來，加強自主研發，走出一條中國自主的存儲芯片發展之路。
