目前中國大陸芯片工藝最先進(jìn)的是中芯，早就實現(xiàn)了14nm工藝。

不過大家也都清楚，因為中芯的進(jìn)步，讓美國感到了忌憚，所以將中芯拉入了黑名單，對先進(jìn)工藝的設(shè)備進(jìn)行了限制，想要鎖死我們16/14nm以下先進(jìn)邏輯制程，一直停留在14nm。

但是，大家要清楚，這個所謂的14nm工藝，其實也是在進(jìn)口各種設(shè)備的情況下實現(xiàn)的，如果采用全國產(chǎn)設(shè)備，14nm目前是不可能實現(xiàn)的。

按照某些專業(yè)人士的說法，目前全球沒有一個國家，可以實現(xiàn)晶圓廠的全產(chǎn)業(yè)鏈，也沒有一家晶圓廠，可以不需要美國的技術(shù)。

如果有這么一個國家的晶圓廠，可以實現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈，可以不需要美國的技術(shù)，那么它一定是中國，但也不是現(xiàn)在，而是將來。

就拿14nm工藝來說，目前我們同樣大量依賴從美國進(jìn)口設(shè)備，材料、軟件等，離實現(xiàn)自主可控，業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，至少還需要3-5年時間。

芯片生產(chǎn)過程中涉及到幾十種設(shè)備，上百道工序。我們只撿重點的說。從三個環(huán)節(jié)來說一下，這三個環(huán)節(jié)分別是單晶硅片制造、前道工序、后道工序。

第一個環(huán)節(jié)，就是將砂子變成硅晶圓的過程，目前國內(nèi)能制造300mm的晶圓，可以用于14nm，這里面其實也用到了美國進(jìn)口設(shè)備，但我們先不管，就當(dāng)可以完全獨立自主好了。

重點是前道工序，這里就是將硅晶圓，變成加工后的裸芯片的過程，這里至少有擴(kuò)散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化、測試，這8個重點步驟。

這里的設(shè)備就牽涉眾多了，最難的是光刻機(jī)，國產(chǎn)僅90nm，還有離子注入、測試等環(huán)節(jié)的設(shè)備，國產(chǎn)在28nm，還有徐膠顯影機(jī)等，還在60nm。

此外，這里還涉及到眾多的材料，特氣、光掩膜、光刻膠、光刻膠輔助材料、濕化學(xué)品、靶材、拋光液等，這里面光刻膠，國產(chǎn)僅能達(dá)到45nm，還有一些靶材是空白，需要進(jìn)口。

而在后道工序，主要也就是封測，國內(nèi)有三大廠商，排名全球前10名，分別是江蘇長電、天水華天、通富微電，這三大廠商的封測技術(shù)達(dá)到了4nm，但用到的設(shè)備，很多也是進(jìn)口的。

此外，還有制造芯片用到的EDA軟件，控制晶圓廠自動化的軟件，大多也是使用美國的，國產(chǎn)在先進(jìn)工藝上，很多覆蓋不到，甚至連全流程都覆蓋不到，比如EDA只能覆蓋全流程的70%左右，工藝大多在28nm、45nm、60nm這樣的環(huán)節(jié)。

所以要搞定14nm工藝的全國產(chǎn)，按照業(yè)內(nèi)人士的估計，至少要3-5年，甚至有可能3-5年都不夠，還取決于國內(nèi)廠商們的研發(fā)進(jìn)度。

所以在當(dāng)前，國內(nèi)的芯片產(chǎn)業(yè)對美國的依賴還相當(dāng)大，當(dāng)真正實現(xiàn)了全自主的14nm時，才能稍硬氣一點，現(xiàn)在還是低調(diào)一點吧，你覺得呢？