半導(dǎo)體設(shè)備是支撐電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中市場(chǎng)規(guī)模最廣闊，戰(zhàn)略價(jià)值最重要的一環(huán)。當(dāng)前大家津津樂(lè)道的國(guó)產(chǎn)替代，就是半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)替代，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中急需要解決的“卡脖子”領(lǐng)域之一。

當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周期，但半導(dǎo)體設(shè)備卻能逆市而行，得益于充分享受全球晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)。中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備，同全球半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)一樣，享受著本土晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)。

在海外科技對(duì)國(guó)內(nèi)限制加劇和自身供應(yīng)鏈結(jié)構(gòu)合理優(yōu)化的背景下，國(guó)產(chǎn)替代+自主可控迫在眉睫。因此，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)商享有晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)+國(guó)產(chǎn)化提速的雙重增速。

海外限制重重加碼 國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)入新階段

海外對(duì)華科技制裁在不斷趨嚴(yán)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從全球分工高度明確到走向“脫鉤”。從2018年至今，海外從一開(kāi)始的對(duì)電子器件征收高額關(guān)稅，到打擊華為、中興、中芯，再到封鎖超算芯片、EDA軟件、半導(dǎo)體制造設(shè)備等，甚至對(duì)相關(guān)具有海外背景的我國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)高管也進(jìn)行了明確限制。從海外對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體制裁從最開(kāi)始關(guān)稅到設(shè)備、先進(jìn)制程再到對(duì)人的限制，可以看出海外對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體的制裁已經(jīng)到黔驢技窮的地步。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本在于人，可以說(shuō)海外對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體的制裁已經(jīng)到了最壞的時(shí)刻。但短期中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展陷入困局，加速國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行。

2022年10月7日，漂亮國(guó)出臺(tái)最新的《出口管制條例》，，半導(dǎo)體制裁全面升級(jí)，涉及超算芯片、先進(jìn)制程類半導(dǎo)體制造以及相關(guān)漂亮國(guó)國(guó)籍的我國(guó)半導(dǎo)體高管人員等。

主要涉及以下幾個(gè)方面：1）對(duì)超算芯片進(jìn)行限制；2）對(duì)半導(dǎo)體制造進(jìn)行限制，包括16/14nm以下的FinFET/GAA FET的邏輯芯片，半間距為18nm以下的DRAM，128層及以上的NAND閃存及相關(guān)領(lǐng)域美國(guó)人的限制；3）UVL（未經(jīng)核實(shí)清單）管制措施的更新，需要解決最終用途檢查問(wèn)題，否則移入實(shí)體名單EAR；4）28家實(shí)體清單的更新。

臺(tái)積電在22Q3財(cái)報(bào)說(shuō)明會(huì)上表示，將22全年的資本支出從400-440億美元下降至360億美元。據(jù)集微網(wǎng)消息，海力士在9月底已向設(shè)備商修正2023年訂單，削減設(shè)備投資計(jì)劃，下修幅度預(yù)計(jì)7-8成；美光也宣布將減少2023年的資本支出30%至80億美元。意味著全球半導(dǎo)體景氣度下行，全球半導(dǎo)體處于下行周期中。

盡管海外對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制裁全面升級(jí)，但全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大轉(zhuǎn)移格局并未改變，即使全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度下行，但中國(guó)大陸依舊逆勢(shì)擴(kuò)產(chǎn)，逐步成為全球晶圓擴(kuò)產(chǎn)中心。根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，21年底中國(guó)大陸的全球晶圓產(chǎn)能占比僅為16%。21-22年全球新增晶圓廠預(yù)計(jì)29座，而中國(guó)大陸新增9座，數(shù)量占比達(dá)到30%以上。根據(jù)集微網(wǎng)的數(shù)據(jù)，21年底中國(guó)大陸12寸晶圓產(chǎn)能提升空間為46.8萬(wàn)片/月，22年12寸晶圓產(chǎn)能提升空間為52.3萬(wàn)片/月，新增產(chǎn)能空間持續(xù)增加。另外，22年后中國(guó)大陸預(yù)計(jì)每年新增約5座晶圓廠，未來(lái)5年預(yù)計(jì)將新增25座晶圓廠投入設(shè)國(guó)產(chǎn)，涵蓋邏輯、DRAM、MEMS等產(chǎn)線，預(yù)計(jì)26年底12寸晶圓廠總月產(chǎn)能將超過(guò)276.3萬(wàn)片。

中信證券也表示，中國(guó)大陸晶圓廠現(xiàn)有計(jì)劃未來(lái)新增產(chǎn)能235萬(wàn)片/月（等效12英寸），總投資額超過(guò)1500億美元，對(duì)應(yīng)平均每1萬(wàn)片/月 產(chǎn)能投資額約6.5億美元。

國(guó)內(nèi)晶圓制造廠持續(xù)擴(kuò)充，它們的逆勢(shì)擴(kuò)產(chǎn)，培養(yǎng)了自主可控的良好土壤，在一定程度上抵消了全球半導(dǎo)體下行周期帶來(lái)的不利影響，有效帶動(dòng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的技術(shù)突破和業(yè)績(jī)高增，國(guó)產(chǎn)替代加速發(fā)展。


國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)

近年來(lái)，受益于消費(fèi)電子、5G、汽車電子等需求拉動(dòng)，行業(yè)規(guī)模呈上升趨勢(shì)，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)波動(dòng)并整體向上的態(tài)勢(shì)。

根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模在2021年創(chuàng)歷史新高，達(dá)到643億美元，該機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到698億美元，同比增長(zhǎng)8.6%，預(yù)計(jì)2023年將超過(guò)700億美元。

具體來(lái)看，2021年全球半導(dǎo)體分材料市場(chǎng)占比中硅片占比最高，達(dá)到35%；其次是電子特氣，占比14%；光掩模排名第三，占比13%；光刻膠及光刻膠配套化學(xué)品占比均為7%，CMP拋光材料占比則為6%；濺射靶材為3%。

其中，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模為266.4億美元，占比41.4%，是全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模最高的國(guó)家。

然而，當(dāng)前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)和海外巨頭相比，仍有不小的差距，尤其是在中高端領(lǐng)域，由于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體起步晚，導(dǎo)致在技術(shù)積累、配套措施等方面仍然落后較多，而且需要時(shí)間的沉淀。

而且，隨著美國(guó)對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制裁加劇，尤其是對(duì)先進(jìn)制程的設(shè)備及材料的限制愈演愈烈，因此，國(guó)產(chǎn)替代是中長(zhǎng)期明確的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，前景空間十分廣闊。

國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程提速

如今來(lái)看，在中低端領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程已經(jīng)卓有成效，國(guó)產(chǎn)化率也逐年攀升。2021年中國(guó)半導(dǎo)體晶圓制造材料的整體國(guó)產(chǎn)化率為20%-30%，其中電子特氣、靶材國(guó)產(chǎn)化率約為30-40%；硅片、濕電子化學(xué)品、CMP耗材總體國(guó)產(chǎn)化率約在20-30%。

但仍需注意的是，較高端的12寸硅片國(guó)產(chǎn)化率不足5%；光掩模、光刻膠國(guó)產(chǎn)化率約在10%以下，EUV光刻膠等高端細(xì)分領(lǐng)域，國(guó)產(chǎn)化率近乎為零。

半導(dǎo)體材料作為芯片制造的重要上游支撐，而國(guó)內(nèi)產(chǎn)品偏中低端，高端制程領(lǐng)域依然被外資廠商主導(dǎo)，因此，國(guó)產(chǎn)替代需求極為迫切。

近年來(lái)，隨著下游需求的增長(zhǎng)，以及美國(guó)對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的限制，國(guó)內(nèi)晶圓廠紛紛增資擴(kuò)產(chǎn)以應(yīng)對(duì)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體、士蘭微、華潤(rùn)微、粵芯半導(dǎo)體等均宣布了擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃；不久前，增芯科技12英寸晶圓廠也正式動(dòng)工。

晶圓廠新建階段將帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備需求景氣度高漲，而在晶圓廠投產(chǎn)后，隨著產(chǎn)能利用率和良率不斷爬坡，將會(huì)帶動(dòng)半導(dǎo)體材料開(kāi)始逐步放量，在供應(yīng)鏈安全的背景下，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料或?qū)㈤_(kāi)始逐步放量。


半導(dǎo)體設(shè)備今年大跌31%

據(jù)eetjp報(bào)道，在日前舉辦的SEMICON Japan上，瑞銀證券研究部聯(lián)席主管Kenji Yasui表示，半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)在2023年后將比上年下降21%，2024年比2023年增長(zhǎng)11%。

“2023年將是內(nèi)存調(diào)整的一年，我們預(yù)計(jì)內(nèi)存市場(chǎng)將減半。此外，由于美洲地區(qū)經(jīng)濟(jì)放緩和庫(kù)存調(diào)整，2023年市場(chǎng)將出現(xiàn)下滑。數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的擴(kuò)張，由于自動(dòng)駕駛和AI（人工智能）的發(fā)展將導(dǎo)致半導(dǎo)體產(chǎn)能投資增加，半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)也將增長(zhǎng)。”Yasui先生說(shuō)。

Jefferies 證券研究部營(yíng)銷總監(jiān) Masahiro Nakanao 則預(yù)測(cè)，2023年半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)將比上年下降20%，2024年將比2023年增長(zhǎng)8%。至于原因，在他看來(lái)，這與2019年半導(dǎo)體市場(chǎng)的收縮類似，2023年市場(chǎng)將因內(nèi)存調(diào)整而下滑。從2020年到2021年，由于居家需求，與智能手機(jī)和PC相關(guān)的需求增加，但對(duì)內(nèi)存的需求預(yù)計(jì)市場(chǎng)將從2021年開(kāi)始持續(xù)下滑，并持續(xù)到2023年年中。”對(duì)于未來(lái)的半導(dǎo)體需求，他表示，“半導(dǎo)體周期和投資周期正在發(fā)生變化，軟件將驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)不僅僅是硬件。”

有分析師則悲觀預(yù)測(cè)，2023年半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)將比上一年減少31%，2024年將比2023年增長(zhǎng)23%。他說(shuō)，“2023年，我們預(yù)計(jì)智能手機(jī)和個(gè)人電腦市場(chǎng)將萎縮200億美元，美中沖突100億美元，合計(jì)300億美元。如果我們估計(jì)影響是50億美元，實(shí)際收縮可能會(huì)更漸進(jìn)一點(diǎn)。在2024年和2025年，印度智能手機(jī)和空調(diào)市場(chǎng)將發(fā)展，市場(chǎng)將隨著增長(zhǎng)成為僅次于中國(guó)的第二大市場(chǎng)而復(fù)蘇。

長(zhǎng)谷川先生預(yù)測(cè)，2023年半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)將比上年減少15%，2024年將比2023年增長(zhǎng)16%。“雖然市場(chǎng)會(huì)因內(nèi)存市場(chǎng)的調(diào)整和中美沖突而萎縮，但我們認(rèn)為，由于半導(dǎo)體相關(guān)補(bǔ)貼和小型化趨勢(shì)，市場(chǎng)萎縮幅度將比預(yù)期溫和。從下半年開(kāi)始到 2023 年，庫(kù)存調(diào)整將我們預(yù)測(cè)來(lái)自遠(yuǎn)程 IT 發(fā)展和日常事件數(shù)字化的需求將超過(guò)負(fù)面影響，市場(chǎng)將復(fù)蘇。”


半導(dǎo)體設(shè)備，明年將同比大跌16.8%

據(jù)SEMI市場(chǎng)研究和統(tǒng)計(jì)部門(mén)分析師 Inna Skvortsova 表示，到 2022 年底，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將達(dá)到 1085 億美元，創(chuàng)下同比增長(zhǎng) 5.9% 的新紀(jì)錄，超過(guò) 2021 年 1025 億美元的歷史新高。她進(jìn)一步指出，到 2023 年，半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)將在前端和后端工藝中縮減至 912 億美元，但這將在 2024 年恢復(fù)。”

關(guān)于半導(dǎo)體市場(chǎng)，各研究公司認(rèn)為在2022年的平均增長(zhǎng)率為4%。2023年，大家預(yù)計(jì)平均萎縮7%，但Future Horizon預(yù)計(jì)萎縮22%，SEMI也預(yù)計(jì)將顯著下降。

按地區(qū)劃分，中國(guó)大陸、臺(tái)灣地區(qū)和韓國(guó)預(yù)計(jì)在 2022 年仍將是資本指出前三名的國(guó)家和地區(qū)。2023年，中國(guó)大陸仍將保持第一，但2024年，中國(guó)臺(tái)灣有望奪冠。預(yù)計(jì) 2022 年除韓國(guó)外所有地區(qū)的投資都將增加，但預(yù)計(jì) 2023 年大部分地區(qū)將下降，然后在 2024 年恢復(fù)。

從行業(yè)銷售額來(lái)看，2022年晶圓廠設(shè)備行業(yè)將同比增長(zhǎng)8.3%，達(dá)到948億美元的歷史新高。預(yù)計(jì)到 2023 年將下降 16.8% 至 788 億美元，但到 2024 年將回升 17.2% 至 924 億美元。

代工和邏輯部分占晶圓廠設(shè)備收入的一半以上，預(yù)計(jì) 2022 年將達(dá)到 530 億美元，同比增長(zhǎng) 16%，這主要得益于前沿和成熟工藝節(jié)點(diǎn)需求的增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2023年收入將達(dá)到530億美元，預(yù)計(jì)下降9%。

在內(nèi)存和存儲(chǔ)方面，由于商業(yè)和消費(fèi)者需求疲軟，預(yù)計(jì) 2022 年 DRAM 設(shè)備銷售額將下降 10% 至 143 億美元，2023 年將下降 25% 至 108 億美元，而 NAND 設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)到 2022 年將下降。預(yù)計(jì)到 2020 年將下降 4% 至 190 億美元，到 2023 年將下降 36% 至 122 億美元。

在 2021 年實(shí)現(xiàn) 30% 的強(qiáng)勁增長(zhǎng)后，半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)銷售額預(yù)計(jì)到 2022 年將下降 2.6 個(gè)百分點(diǎn)至 76 億美元。組裝和封裝設(shè)備領(lǐng)域的銷售額在 2021 年增長(zhǎng)了 87%，但預(yù)計(jì) 2022 年將下降 14.9% 至 61 億美元，2023 年將下降 13.3% 至 53 億美元。后端設(shè)備資本支出有望在 2024 年恢復(fù)，其中測(cè)試設(shè)備增長(zhǎng) 15.8%，組裝和封裝設(shè)備增長(zhǎng) 24.1%。

SEMI 總裁兼首席執(zhí)行官 Ajit Manocha 在評(píng)論未來(lái)市場(chǎng)趨勢(shì)時(shí)表示，“新半導(dǎo)體晶圓廠的創(chuàng)紀(jì)錄數(shù)量（2021 年 23 座，2022 年 33 座）導(dǎo)致半導(dǎo)體制造設(shè)備的銷售額增長(zhǎng)超過(guò) 100 美元，實(shí)現(xiàn)連續(xù)第二年增長(zhǎng)超過(guò)十億美元。隨著各個(gè)市場(chǎng)新應(yīng)用的出現(xiàn)，預(yù)計(jì)未來(lái)十年半導(dǎo)體行業(yè)將有顯著增長(zhǎng)。半導(dǎo)體行業(yè)的長(zhǎng)期前景看好。為此增加對(duì)半導(dǎo)體制造的投資至關(guān)重要，只有這樣才能為各種新興應(yīng)用的持續(xù)增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。”