近日，浙江晶能微電子有限公司宣布，其自主設計研發的首款車規級IGBT產品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。此次突破標志著晶能在IGBT技術上邁出一個“芯”的里程碑，為后續更多功率芯片的研制打下基礎。

晶能自主研發IGBT流片晶圓

該款IGBT芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術，通過優化表面結構和FS結構，兼具短路耐受同時實現更低的導通/開關損耗，功率密度增大約35%，綜合性能指標達到行業領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創方式持續提升芯片性能。

晶能微電子CEO潘運濱表示：“一輛典型的新能源汽車芯片用量超過1200顆。功率半導體占比接近1/4。此次IGBT產品成功流片，是晶能在芯片國產化道路上不斷探索的起點，公司將持續精進、加強研發，圍繞動力總成系統中的開發需求，不斷研制性能優越的芯片和模塊產品。”

晶能自主研發IGBT HP Drive模塊

IGBT是現代電力電子中的主導型器件，被譽為電力電子行業里的CPU，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品。近期，也有行業開發者討論將Si IGBT和SiC MOS封裝在一起，形成混合并聯模塊的解決方案。未來，功率芯片和模塊的創新應用場景會更加豐富。

晶能微電子是吉利孵化的功率半導體公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創新，發揮“芯片設計+模塊制造+車規認證”的綜合能力，為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供性能優越的功率產品和服務。