在ASML追隨美國的腳步停止對中國出售14納米光刻機之后，其實ASML還留了后手，那就是它表示仍然可以對中國出售28納米的浸潤式光刻機，而這款光刻機其實也可用于14納米工藝生產，只不過需要多重曝光技術，生產成本較高。

ASML保留的這個后手就是繼續對中國出售NXT:1980Di，這款型號的光刻機其實同樣屬于浸潤式光刻機，在數年前其實是屬于相當先進的光刻機，臺積電不僅將它用于生產14納米工藝，還用于生產第一代7納米工藝。

當然將NXT:1980Di用于生產14納米乃至7納米工藝仍然需要廠商有很強的技術能力，生產的成本也會較高，而且性能不太理想，當時臺積電以這型號的光刻機生產的7納米工藝表現就不太理想，隨后引入EUV光刻機之后生產的7納米EUV工藝性能得到大幅度提升。

中國的芯片企業用NXT:1980Di生產14納米和7納米都是有可能的，目前國內最大的芯片代工企業中芯國際的CEO梁孟松就擁有很強的7納米技術，梁孟松曾幫助臺積電和三星推進7納米工藝，國內芯片制造企業以這款光刻機推進7納米也就有了可能性。

ASML繼續保留著NXT:1980Di這款浸潤式光刻機的銷售其實并非好心，它希望這款舊型號的光刻機能繼續發光發熱，畢竟技術成熟、成本較低，對中國出售的價格恐怕也不會太低，如此它將能由此獲得豐厚的利潤，更重要的是它可能已認識到中國在浸潤式光刻機方面已取得突破。

其實中國的浸潤式光刻機早在兩年前就已交付樣機，據稱主要是因為雙工作臺的穩定性不足導致整體精度不穩定，去年哈工大公布的平面光柵激光干涉儀技術恰恰是為了解決浸潤式光刻機的整體精度問題。

近期一家中國手機企業被傳出將推出采用國產14納米工藝生產的5G手機芯片，這或許意味著不僅國產的浸潤式光刻機已投產，還解決了14納米的光刻膠等材料國產化的問題，因為如果采用了美國技術就不能為這家中國手機企業生產芯片。

國產浸潤式光刻機的突破可能才是ASML保持著繼續供應NXT:1980Di的重要原因，它可能試圖借此吸引中國芯片企業采購它的光刻機，而減少采用國產的光刻機，如此一來就能延緩國產光刻機的技術進展。

對于28納米乃至14納米和7納米浸潤式光刻機來說，其實技術基本是相通的，只要國產光刻機能量產28納米浸潤式光刻機，納米解決14納米、7納米浸潤式光刻機的問題也就快多了，可以說ASML的選擇印證了國產浸潤式光刻機的重要突破。

ASML的選擇證明了中國芯片就需要堅定推進自主研發，只要我們取得突破的技術，海外就會供應乃至降價供應，此前在液晶面板以及當前價格大跌的固態硬盤都證明了這一點，可以說ASML完全就是惺惺作態，中國芯片行業應該更緊密支持國產光刻機產業鏈，畢竟只有我們的自己技術才能真正掌握在手里，不受他人控制，正如知名院士倪光南所說“先進技術是買不來的、求不來的”。