受去年終端需求持續(xù)低迷的影響，嚴(yán)重依賴芯片出口的韓國(guó)經(jīng)濟(jì)最近有些“崩潰”。

芯片滯銷，韓國(guó)芯片庫(kù)存創(chuàng)26年新高，出口持續(xù)下滑，2月出口額更是暴跌41.5%，其中對(duì)華半導(dǎo)體出口額下滑了24.2%，這是連續(xù)第9個(gè)月的下滑，要知道中國(guó)是韓國(guó)最大的芯片出口國(guó)，巔峰時(shí)占了韓國(guó)芯片出口額的一半。

韓國(guó)財(cái)長(zhǎng)對(duì)前景表示擔(dān)憂，如果半導(dǎo)體行業(yè)不能復(fù)蘇，韓國(guó)在短期內(nèi)也無(wú)法擺脫目前的低迷狀態(tài)。

存儲(chǔ)芯片又是韓國(guó)支柱性半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（非內(nèi)存芯片僅占5%），今年韓國(guó)存儲(chǔ)芯片出口額持續(xù)腰斬，不僅如此，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格持續(xù)暴跌，跌無(wú)可跌，拖累韓國(guó)出口貿(mào)易。

韓國(guó)出口持續(xù)低迷拉響全球經(jīng)濟(jì)乃至半導(dǎo)體低迷警報(bào)，存儲(chǔ)芯片的表現(xiàn)為何如此慘烈？回顧每個(gè)階段的半導(dǎo)體市場(chǎng)，為什么存儲(chǔ)芯片總是最慘的？

01

利潤(rùn)暴跌，裁員降本

存儲(chǔ)市場(chǎng)跌成啥樣了

存儲(chǔ)芯片兩大主要產(chǎn)品DRAM和NAND廠商的表現(xiàn)，從市占率較高的寡頭身上體現(xiàn)得淋漓盡致。

DRAM目前被三星、海力士和美光這三家巨頭壟斷，占比約96%，兩家韓企三星電子和SK海力士分別占據(jù)41.8%和18.5%的份額。NAND也呈現(xiàn)集中度較高的局面，三星、鎧俠和SK海力士合計(jì)占比達(dá)65%。

被認(rèn)為是驅(qū)動(dòng)三星電子增長(zhǎng)的兩駕馬車DRAM和NAND閃存（市占分別為50%和30%），最近的表現(xiàn)卻一敗涂地。

近日媒體報(bào)道，傳三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)今年Q1或虧損4萬(wàn)億韓元（約合31億美元），消息人士指出，三星晶圓代工業(yè)務(wù)雖然獲利，但目前規(guī)模仍小，尚不足以彌補(bǔ)存儲(chǔ)器的巨大虧損。三星去年Q4的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)業(yè)績(jī)已經(jīng)很難看，由于客戶繼續(xù)處理大量庫(kù)存，去年Q4芯片部門(mén)利潤(rùn)驟降96.9%至2700億韓元（約合2.2億美元）。

三星的庫(kù)存年增長(zhǎng)率創(chuàng)下歷史新高，去年Q4 52.2萬(wàn)億韓元（約399億美元）的庫(kù)存里，其中29.1萬(wàn)億韓元（約223億美元）的庫(kù)存來(lái)自內(nèi)存、IC和晶圓代工業(yè)務(wù)所在的DS業(yè)務(wù)部門(mén)，年增長(zhǎng)76%。

老二韓國(guó)SK 海力士，去年Q4開(kāi)始業(yè)績(jī)開(kāi)始從盈利轉(zhuǎn)虧損，營(yíng)業(yè)虧損約1.7萬(wàn)億韓元，凈虧損約3.5萬(wàn)億韓元，這是2012年Q3以來(lái)SK 海力士首次出現(xiàn)季度營(yíng)業(yè)虧損。DART數(shù)據(jù)顯示，SK 海力士的庫(kù)存增至15.7萬(wàn)億韓元，年增長(zhǎng)率為75%。此外，SK 海力士表示2023年投資額會(huì)比2022年的19兆韓元減少一半以上。

大洋彼岸的美光，其2023財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)收入40.9億美元，環(huán)比下降 38.4%，同比下降 46.8%。美光預(yù)估2023年第三季度（本季）的利潤(rùn)將會(huì)低于預(yù)估。2022年年末，美光一系列降本措施不斷刷屏，包括裁員10%、暫停股票回購(gòu)、削減高管工資、不支付獎(jiǎng)金等。到今年美光再次表示還沒(méi)裁夠，將加強(qiáng)力度，裁員15%。

面對(duì)慘淡的經(jīng)營(yíng)情況，鎧俠表示將持續(xù)減產(chǎn)，2022財(cái)年第三財(cái)季鎧俠營(yíng)收為2782億日元（約合19.64億美元），環(huán)比下滑28.9%，同比下滑30.9%。鎧俠和西部數(shù)據(jù)合并談判重啟，兩家存儲(chǔ)巨頭正嘗試抱團(tuán)取暖。

壟斷寡頭業(yè)績(jī)下滑明顯，其他廠商在慘淡的大背景下也難逃波及。華邦電子2023年1月合并營(yíng)收較前一個(gè)月減少24.58%，較前一年同期減少43.78%；南亞科1月?tīng)I(yíng)收為22.51億元，較前一個(gè)月減少6.20%，較前一年同期減少66.76%；旺宏1月合并營(yíng)收為22.12億元，月減14.34%，年減40.51%，為自2019年5月以來(lái)、近45個(gè)月低點(diǎn)。

業(yè)績(jī)?nèi)绱穗y看，存儲(chǔ)市場(chǎng)到底跌成啥樣了？

價(jià)格方面，根據(jù)TrendForce的最新數(shù)據(jù)，DRAM的價(jià)格在2022年Q4暴跌34.4%，比上個(gè)季度更過(guò)分。NAND的表現(xiàn)雖然略好一些，但也在2022年的Q3、Q4創(chuàng)下了2006年以來(lái)情況最惡劣的跌價(jià)紀(jì)錄。存儲(chǔ)這一輪的下跌時(shí)長(zhǎng)已經(jīng)超過(guò)18個(gè)月，已經(jīng)快跌無(wú)可跌了。

有業(yè)內(nèi)人士表示：“現(xiàn)在價(jià)格基本上到底了，倒掛太久了。以前拿一單貨至少幾百萬(wàn)美金，現(xiàn)在用不了那么多，五折是普遍現(xiàn)象，更有甚者，四折也可以拿到貨?！?/span>

價(jià)格賣不動(dòng)，需求也沒(méi)有，可以說(shuō)存儲(chǔ)目前正處于量?jī)r(jià)齊跌的狀態(tài)。

前幾日，DrameExchange公布了2022年Q4全球DRAM市場(chǎng)以及NAND市場(chǎng)的數(shù)據(jù)，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)在最近半年里跌沒(méi)了一半......

來(lái)源：半導(dǎo)體綜研

來(lái)源：半導(dǎo)體綜研

這輪跌價(jià)主要受到新冠特殊需求減弱以及全球通貨膨脹的影響。

2020年全球新冠疫情爆發(fā)，居家需求猛漲，PC、手機(jī)等電子設(shè)備出貨量明顯增長(zhǎng)，對(duì)于存儲(chǔ)的需求也同步增加，廠商開(kāi)始擴(kuò)產(chǎn)。但供不應(yīng)求，2021年開(kāi)始的“缺芯潮”又引發(fā)了眾多廠商囤貨備貨、超額下單。

但是，2022年之后，新冠的影響減弱，人們開(kāi)始回歸正常生活，對(duì)居家辦公的消費(fèi)電子需求開(kāi)始走弱。加之俄烏沖突、通貨膨脹，經(jīng)濟(jì)不景氣，消費(fèi)意愿大不如前，需求持續(xù)低迷，之前的存貨積壓過(guò)剩，已經(jīng)擴(kuò)產(chǎn)的廠商又停不下來(lái)，存儲(chǔ)芯片變得供遠(yuǎn)大于求。于是，高樓崩塌。

02

存儲(chǔ)芯片

為什么總是那么慘？

我們都知道半導(dǎo)體行業(yè)有其獨(dú)特的“硅周期”，也就是每隔3-4年左右就會(huì)出現(xiàn)一次繁榮和蕭條的交替。目前正處于半導(dǎo)體行業(yè)的下行階段，但是以存儲(chǔ)為主要業(yè)務(wù)的廠商，他們的財(cái)報(bào)要比其他半導(dǎo)體廠商更難看。而此類現(xiàn)象，并不是今年獨(dú)有。

由于DRAM市場(chǎng)更集中、并且利潤(rùn)率更高，所以一般以DRAM的價(jià)格追蹤存儲(chǔ)周期。

來(lái)源：雪球財(cái)經(jīng)@Jack研究

從TrendForce的數(shù)據(jù)來(lái)看，DRAM基本遵循了4年一個(gè)周期的特征。2022年的“同款暴跌”分別在2012年、2016年、2020年左右出現(xiàn)。此前價(jià)格觸底時(shí)，都同比下跌超過(guò)40%，目前的下跌幅度已經(jīng)接近于往年紀(jì)錄。

為什么大家都不好過(guò)的時(shí)候，存儲(chǔ)過(guò)得尤其慘？

首先，由于存儲(chǔ)市場(chǎng)具有明顯的買方市場(chǎng)特性，因此行業(yè)情況主要受下游需求端的影響。從目前存儲(chǔ)器的下游需求分布來(lái)看，手機(jī)、服務(wù)器和PC市場(chǎng)構(gòu)成了存儲(chǔ)行業(yè)近90%的需求。

此輪半導(dǎo)體行情走跌，首先發(fā)生變化的就是智能手機(jī)和PC。受全球性通貨膨脹等影響，最終消費(fèi)趨冷，而約60%的下游需求的嚴(yán)重下滑，也使存儲(chǔ)市場(chǎng)受到了極大的影響。

其次，存儲(chǔ)芯片具備大宗商品特征，短期內(nèi)供需錯(cuò)配導(dǎo)致其價(jià)格周期性波動(dòng)明顯。存儲(chǔ)芯片的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化程度高，各個(gè)廠商的同類產(chǎn)品之間有較高的可替代性。存儲(chǔ)芯片廠商很難通過(guò)差異化形成客戶粘性，以獲得更多的溢價(jià)。因此，存儲(chǔ)的價(jià)格一般都是買方與賣方“周旋”的結(jié)果，基本上，市場(chǎng)的供需情況決定了價(jià)格的高低。

此外，由于存儲(chǔ)市場(chǎng)呈現(xiàn)高度集中的情況，因此寡頭們的動(dòng)作可以對(duì)市場(chǎng)造成顯著影響。一個(gè)大廠的的產(chǎn)能調(diào)整會(huì)迅速引起其他廠商“跟風(fēng)”，加劇存儲(chǔ)市場(chǎng)的產(chǎn)能過(guò)?；蛘弋a(chǎn)能不足，也就導(dǎo)致了存儲(chǔ)市場(chǎng)的強(qiáng)周期性波動(dòng)。

存儲(chǔ)龍頭既是存儲(chǔ)周期的主要影響者，又是周期變化的共同承受者。而存儲(chǔ)芯片也因其強(qiáng)周期性以及高度集中的特點(diǎn)，呈現(xiàn)“大開(kāi)大合”的局面。

03

再慘也要卷技術(shù)

雖然市場(chǎng)還很慘淡，但是存儲(chǔ)大廠們還沒(méi)有停下“內(nèi)卷”步伐。

在NAND Flash領(lǐng)域，想要繼續(xù)霸占市場(chǎng)，就要不斷擴(kuò)展存儲(chǔ)密度和降低成本。大約每?jī)赡辏琋AND Flash行業(yè)就能夠大幅提高存儲(chǔ)密度。對(duì)于NAND來(lái)說(shuō)，層數(shù)越多，容量就越高。在3D NAND技術(shù)進(jìn)入市場(chǎng)之后，就開(kāi)始了層數(shù)的“內(nèi)卷”。老大三星電子在2022年年末已經(jīng)宣布量產(chǎn)236層的第8代V-NAND。美光也在去年宣布量產(chǎn)232層NAND閃存芯片。

在DRAM領(lǐng)域，要想進(jìn)入到10nm工藝以下，EUV不可不爭(zhēng)。目前，三星電子基于極紫外（EUV）光刻技術(shù)的1z-nm工藝的DRAM已于去年2月份完成了量產(chǎn)，并且三星表示在下一代DRAM中還將繼續(xù)增加EUV步驟。EUV現(xiàn)在只有ASML能做，每年產(chǎn)能有限，據(jù)說(shuō)排隊(duì)已經(jīng)排到好幾年之后了。

然而，即使用上了EUV，也不能確保滿足未來(lái)十年所需的位密度改進(jìn)。在傳統(tǒng)DRAM架構(gòu)面臨性能與工藝極限的情況下，DRAM大廠們正在考慮將單片3D DRAM（類似 3D NAND）作為長(zhǎng)期擴(kuò)展的潛在解決方案。

韓廠在2021年正式開(kāi)卷，2021年三星建立了下一代工藝開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)，開(kāi)始對(duì)3D DRAM進(jìn)行實(shí)質(zhì)性工程研究。但是美光更有效率，已獲得30多項(xiàng)3D DRAM專利技術(shù)，相比韓國(guó)廠商有明顯優(yōu)勢(shì)。存儲(chǔ)芯片當(dāng)然也在摩爾定律的范圍之內(nèi)，要想緊跟時(shí)代需求，“內(nèi)卷”的步伐不能停下。

最近，ChatGPT等人工智能開(kāi)始爆火，國(guó)內(nèi)外大廠紛紛入局，激烈的競(jìng)爭(zhēng)也將帶動(dòng)對(duì)高性能和大容量存儲(chǔ)半導(dǎo)體的需求增加，外加各存儲(chǔ)大廠已紛紛下調(diào)產(chǎn)能計(jì)劃，有機(jī)構(gòu)指出，存儲(chǔ)價(jià)格有望逐漸接近下行周期底部，并看好2023年下半年存儲(chǔ)板塊迎來(lái)止跌。