美國一直都在試圖遏制中國芯片的發展，近期美國總統拜登拉攏了日本和荷蘭限制先進芯片設備供應，以為如此做就能阻擋中國芯片的發展，然而中國芯片卻在近期公布了好幾項技術進展，讓美國的圖謀落空。

中國最大的芯片企業傳出量產12納米工藝，相比起此前14納米工藝再進一步，顯示出美國限制芯片設備和芯片材料的供應并未能阻止中國發展先進工藝，中國芯片行業反而因此激發了潛力，加速了芯片工藝研發進程。

中國量產12納米工藝與臺積電的3納米工藝固然有好幾代的差距，但是與美國的芯片制造工藝差距卻不太大，美國芯片龍頭企業Intel量產的最先進工藝不過是10納米工藝，如此以來中國和美國的芯片制造工藝方面不相伯仲。

業界人士指出全球有七成的芯片都是以28納米以上成熟工藝生產，14納米工藝則能滿足中國九成的芯片需求，12納米工藝將進一步增強中國芯片的競爭力，據稱中國完全自研的龍芯3A6000就正在以國產的12納米工藝流片，而性能方面可以達到Intel的11代酷睿i5的水平。

中國還在加快完善芯片制造產業鏈，光刻機這個芯片制造的短板正在取得突破，28納米光刻機已投產，28納米光刻機就是浸潤式光刻機，浸潤式光刻機技術可以升級到7納米，這也意味著國產光刻機推進7納米將很快變成現實，實現芯片工藝完全國產化，美國以ASML的光刻機阻止中國先進工藝發展的做法即將失效。

在推進現有的硅基芯片技術之外，中國積極發展先進芯片材料，以繞開ASML的EUV光刻機，也已取得了進展。近期西安郵電大學攻克了第四代半導體材料氧化鎵，氧化鎵具有功率轉換效率高，成本低以及熱穩定性高等特點，可以有效提升芯片性能。

第四代半導體材料對于人工智能、量子計算等先進芯片技術的發展至關重要，可以提供更強的算力、更小的體積和更低的功耗，中國研發成功第四代芯片材料將可以繞開EUV光刻機，為這些新興技術領域提供支持。

此外中國還在光子芯片技術方面取得了進展，北京一家芯片企業已籌建全球第一條光子芯片生產線，光子芯片的性能較硅基芯片高1000倍、功耗卻只有硅基芯片的千分之一，顯示出中國正在多條技術路線上推進先進芯片技術，確保開發先進芯片技術能取得成功。

中國在芯片材料技術方面的進展讓外媒吃驚，他們沒有想到中國在傳統硅基芯片技術研發方面仍然相對落后的情況下，卻突然在芯片材料方面取得突破，實現了彎道超車，最終將有望在芯片技術方面反超美國，這讓拜登的圖謀成為泡影。

中國芯片行業相對于其他經濟體的優勢在于基礎扎實，依靠國內早年對工業基礎的打造，以及龐大的規模，在基礎研究方面長久維持下來，厚積薄發之下如今取得了成果，如今美國施加的壓力更是激發了中國芯片行業的潛力，將諸多芯片技術付諸生產，從而取得了令人吃驚的進展。