我們知道，芯片是由晶體管組成的，一個(gè)晶體管就是一路電流，代表著一個(gè)0與1的開關(guān)換算，這樣的開關(guān)越多，芯片性能就越強(qiáng)，所以對(duì)于一顆芯片而言，晶體管越多，性能的性能就越強(qiáng)。

而晶體管里面又含有三個(gè)部分，源極（Source，電流入口）、漏極（Drain-電流的出口）、柵極（Gate-開關(guān)），這三個(gè)部分是晶體管的關(guān)鍵。

在晶體管里面，電流從源極流向漏極，中間要經(jīng)過柵極，柵極相當(dāng)于一道門/開關(guān)，所以電流經(jīng)過柵極的速度，就代表了這個(gè)晶體管的性能。

所以芯片廠商們，努力的將柵極做短，這樣讓電流流過的時(shí)間更少，所以之前芯片工藝與柵極的長短是息息相關(guān)的，甚至一度柵極的寬度，代表的就是芯片的工藝。

不過后來大家發(fā)現(xiàn)，柵極太短了也不行，會(huì)有短溝道效應(yīng)，比如漏電導(dǎo)致功耗上升，還會(huì)導(dǎo)致性能不穩(wěn)定，開關(guān)門不受控。所以如何提高柵極的穩(wěn)定性，也是芯片廠們要考慮的問題。

而近日，傳出好消息，北京大學(xué)電子學(xué)院彭練矛院士、邱晨光研究員課題組制備了10納米超短溝道彈道二維硒化銦（InSe）晶體管，成為世界上迄今速度最快、能耗最低的二維半導(dǎo)體晶體管，相關(guān)研究近日發(fā)表于《自然》。

按照說法，這也是首次使二維晶體管實(shí)際性能超過Intel商用10納米節(jié)點(diǎn)的硅基Fin晶體管，是目前速度最快的二維半導(dǎo)體晶體管。

然后北大團(tuán)隊(duì)還將將二維晶體管的工作電壓降到0.5V，電壓降低，意味著功耗變低，漏電功率也降低，所以這也是功耗最低的二維半導(dǎo)體晶體管。

另外在這個(gè)制程過程中，還有很多的突破，比如采用三層硒化銦作溝道，而不是普通的硅基。比如制備出2.6納米超薄雙柵氧化鉿，開創(chuàng)了摻雜誘導(dǎo)二維相變技術(shù)等等。

當(dāng)然，大家要注意的是，這項(xiàng)技術(shù)目前還只是停留在實(shí)驗(yàn)室，要真正從實(shí)驗(yàn)室走向?qū)嶋H應(yīng)用，可能還需要很多時(shí)間。

不過很多的技術(shù)，都是在理論研究的基礎(chǔ)上，不斷努力推進(jìn)，然后一步步應(yīng)用于實(shí)際的，所以大家靜待這項(xiàng)技術(shù)落地吧。

目前硅基芯片的發(fā)展，很多人都覺得快到極限了，而北大團(tuán)隊(duì)研究二維硒化銦（InSe）晶體管，也算是換道超車了，你覺得呢？