美國限制ASML對中國出售先進光刻機，甚至還限制對中國出售14納米以下的光刻機，然而近日ASML總裁卻說“中國自研光刻機是破壞全球芯片產業鏈”，如此言論或許是看到了中國的光刻機已取得重大突破，擔憂它的市場被侵蝕。

中國一直都在努力推進光刻機，此前數年一直止步于90納米光刻機，這讓ASML大舉從中國市場賺取了豐厚的利潤，2021年和2022年Q1中國市場為它貢獻了三分之一的收入，2022年下半年在美國的壓力下，ASML從中國市場獲得的收入逐漸下降，但是2022年中國市場仍然為它貢獻了29億歐元的收入，占其營收的比例達到14%。

ASML從中國市場獲得的這筆收入還是在限制對中國出售先進的EUV光刻機以及14納米以下DUV光刻機取得的，中國購買的DUV光刻機占ASML在2022年銷售的DUV光刻機數量達到25%，中國市場已成為ASML的DUV光刻機最大市場了。

ASML曾希望未來3年時間將DUV光刻機的產能擴大到600臺，自然DUV光刻機的主要銷售對象就是中國市場，然而受美國的阻撓，ASML如今可以對中國銷售的最先進DUV光刻機為1980Di，這是一款38納米光刻機，技術已經相當落后，中國力推的28納米用這款光刻機需要多重曝光技術，生產成本較高，因此吸引力其實不大。

更為重要的是中國一直在力推28納米光刻機的量產，兩年前中國就已對28納米光刻機進行驗證，據悉當時的28納米光刻機在工藝穩定性方面還稍有不足，但是哈爾濱工業大學研發的“高速超精密激光干涉儀”卻可以解決這個問題，確保光刻機整合后的工藝穩定性，推動28納米光刻機的量產。

ASML高管曾表示即使給中國圖紙，中國也無法量產先進的光刻機，然而隨著中國先進光刻機的推進，他迅速改口，認為中國可以很快研發出國產先進光刻機；兩年前還有國內專家表示只要3年時間中國就能量產28納米光刻機，算算時間，如今國產28納米光刻機離量產的時間越來越近了。

此時ASML總裁卻說出“中國自研光刻機是破壞全球芯片產業鏈”，恰恰印證了中國的28納米光刻機已進入量產階段，甚至可能已量產成功，這才導致他說出如此的話，反映出他相當擔憂中國自研的光刻機替代ASML的光刻機。

其實更讓ASML擔憂的是28納米光刻機屬于浸潤式技術的光刻機，而從28納米到7納米的DUV光刻機都采用了浸潤式技術，中國量產28納米光刻機就代表著解決了浸潤式光刻機這項重要技術，其后研發14納米、7納米DUV光刻機的難度將大大減小，這更是讓ASML害怕。

2005年ASML依靠浸潤式光刻機技術擊敗日本的干式光刻機，由此奠定了ASML在光刻機市場的王者地位，而浸潤式光刻機技術其實是臺積電的技術高管林本堅發明的，近幾年來中國大陸吸引了中國臺灣的諸多芯片技術人才，累積吸引的中國臺灣芯片技術人才數量高達3000人，隨著這些人才的加入，中國研發浸潤式光刻機取得突破在情理之中。

ASML當年獲得中國臺灣的浸潤式光刻機技術之前，在日本的尼康和佳能打壓之下連生存都成為問題，獲得了浸潤式光刻機技術之后才成為光刻機巨頭，它當然擔憂中國取得浸潤式光刻機技術之后，再度淪落回當年那樣的窘境，因此慌亂說出如此話語也就得以理解了。