日經(jīng)新聞最新消息，瑞薩計劃砸下約480億日圓于日本國內(nèi)3座工廠內(nèi)導(dǎo)入制造設(shè)備，目標(biāo)在2026年結(jié)束前將MCU產(chǎn)能較現(xiàn)行提高一成，主因EV普及、帶動MCU需求急增。

據(jù)報道，瑞薩計劃在2025年2月之前在旗下核心據(jù)點(diǎn)那珂工廠內(nèi)導(dǎo)入40納米（nm）MCU制造設(shè)備、2025年3月之前在川尻工廠內(nèi)導(dǎo)入130nm MCU制造設(shè)備，另外，于2014年關(guān)閉的甲府工廠也因來自EV的需求增加，因此計劃在2024年上半年重新啟用，并將在2026年8月之前導(dǎo)入成膜用制造設(shè)備。

據(jù)悉，那珂工廠和甲府工廠新導(dǎo)入的制造設(shè)備月產(chǎn)能為1萬片（以12吋硅晶圓換算）、川尻工廠為月產(chǎn)2萬9,100片（以8吋硅晶圓換算），上述3座工廠新設(shè)備相當(dāng)于瑞薩整體1成以上產(chǎn)能。

關(guān)鍵的是，因日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省為了強(qiáng)化半導(dǎo)體生產(chǎn)、會對相關(guān)投資給予補(bǔ)助，而瑞薩對上述3座工廠的投資額中、經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將補(bǔ)助159億日圓。