日本：7月23日起將限制尖端半導體制造設備出口
關鍵詞： 半導體設備
據(jù)日媒報道，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省5月23日公布了外匯法法令修正案，將先進芯片制造設備等23個品類追加列入出口管理的管制對象，上述修正案在經(jīng)過2個月的公告期后，將在7月23日實行。
美國已嚴格限制向中國出口用于超級計算機和人工智能（AI）的尖端半導體的制造設備等。并一直要求擁有這些技術的日本和荷蘭采取同樣的措施。在此背景下，日本此舉等同跟隨美國腳步。
日本7月23日起施行尖端半導體出口限制
根據(jù)日本《外匯法》，對可用于軍事目的的武器等民用物品的出口進行管制，出口需要事先獲得經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的許可。雖然中國和其他特定國家和地區(qū)未被明確列為受監(jiān)管對象，但新增的23個項目將需要單獨許可證，不包括友好國家等42個國家和地區(qū)的許可證，這給中國和其他國家的出口帶來了實際困難。
據(jù)經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省稱，該計劃涉及清洗、成膜、熱處理、曝光、蝕刻、檢查等23個種類，包括極紫外（EUV）相關產(chǎn)品的制造設備和三維堆疊存儲元件的蝕刻設備等。就計算用邏輯半導體的性能而言，它是制造電路線寬10至14納米或更小的尖端產(chǎn)品的必備設備。
具體來看，日本政府新增的半導體方向出口管控對象明細：
清洗設備：半導體前段工藝除去表面異物的清洗設備；
成膜設備：利用等離子旋轉(zhuǎn)晶圓，形成原子級別膜的設備，利用EUV光掩膜的成膜設備，準確形成硅膜、硅化合物膜的設備；
熱處理：通過熱處理，除去薄膜內(nèi)空隙的設備；
曝光：EUV涂覆、顯影設備，防護板(EUV光掩膜方向)生產(chǎn)設備，ArF液浸式曝光設備；
蝕刻：具有立體結(jié)構(gòu)的最尖端的蝕刻設備；
檢查：EUV光掩膜檢測設備。
3月31日發(fā)表的半導體制造設備貿(mào)易管制規(guī)則
事實上，日本政府早在3月31日發(fā)表了半導體制造設備貿(mào)易管制規(guī)則，將限制23種半導體制造設備的出口。當時消息稱，在征求公眾意見后，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省計劃于5月發(fā)布修訂后的省令，并于7月實施。
日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔當天向媒體表示：“我們正在履行我們作為一個技術國家的責任，為國際和平與穩(wěn)定作出貢獻”。他強調(diào)，日本希望阻止其先進技術被用于軍事目的，并沒有考慮到具體的國家。
但此舉仍然遭到各界強烈反對。中國是在日本半導體設備出口對象國家中占比達到4成的最大市場，預計Tokyo Electron（TEL）和SCREEN控股等十幾家日本企業(yè)將受到影響。此外，摩擦和業(yè)務萎縮趨勢也有可能在貿(mào)易管制范圍之外的商業(yè)領域擴大。
當時有報道稱，日本一家大型半導體制造設備生產(chǎn)企業(yè)的相關負責人感到困惑：“我們做出了各種各樣的設想，但比預想的更難理解。”
中方回應
5月23日，商務部新聞發(fā)言人就此事答記者提問時表示，日本政府正式出臺針對23種半導體制造設備的出口管制措施，這是對出口管制措施的濫用，是對自由貿(mào)易和國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則的嚴重背離，中方對此堅決反對。
在日方措施公開征求意見期間，中國產(chǎn)業(yè)界紛紛向日本政府提交評論意見，多家行業(yè)協(xié)會公開發(fā)表聲明反對日方舉措，一些日本行業(yè)團體和企業(yè)也以各種方式表達了對未來不確定性的擔憂。但令人遺憾的是，日方公布的措施未回應業(yè)界合理訴求，將嚴重損害中日兩國企業(yè)利益，嚴重損害中日經(jīng)貿(mào)合作關系，破壞全球半導體產(chǎn)業(yè)格局，沖擊產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈安全和穩(wěn)定。
日方應從維護國際經(jīng)貿(mào)規(guī)則及中日經(jīng)貿(mào)合作出發(fā)，立即糾正錯誤做法，避免有關舉措阻礙兩國半導體行業(yè)正常合作和發(fā)展，切實維護全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈穩(wěn)定。中方將保留采取措施的權利，堅決維護自身合法權益。
