東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。

TPH3R10AQM具有業(yè)界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“TPH3R70APL”低16%[2]。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作區(qū)擴展了76%[3]，使其適合線性模式工作。而且降低導通電阻和擴大安全工作區(qū)的線性工作范圍可以減少并聯(lián)連接的數(shù)量。此外，其柵極閾值電壓范圍為2.5V至3.5V，不易因柵極電壓噪聲而發(fā)生故障。

新產品采用高度兼容的SOP Advance(N)封裝。

未來，東芝將繼續(xù)擴展其功率MOSFET產品線，通過減少損耗來提高電源效率，并幫助降低設備功耗。

  應用

-     數(shù)據(jù)中心和通信基站等通信設備的電源

-     開關電源（高效率DC-DC轉換器等） 

  特性

-     具有業(yè)界領先的[2]低導通電阻：RDS(ON)＝3.1mΩ（最大值）（VGS＝10V）

-     寬安全工作區(qū)

-     高額定結溫：Tch（最大值）＝175℃

  主要規(guī)格

（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號			TPH3R10AQM
絕對最大額定值	漏極-源極電壓VDSS（V）		100
	漏極電流（DC）ID（A）	Tc＝25℃	120
	結溫Tch（℃）		175
電氣特性	漏極-源極導通電阻RDS(ON) 最大值（mΩ）	VGS＝10V	3.1
		VGS＝6V	6.0
	總柵極電荷（柵極-源極+柵極-漏極）Qg典型值（nC）		83
	柵極開關電荷Qsw典型值（nC）		32
	輸出電荷Qoss典型值（nC）		88
	輸入電容Ciss典型值（pF）		5180
封裝	名稱		SOP Advance(N)
	尺寸典型值（mm）		4.9×6.1
庫存查詢與購買			在線購買

 注：

[1] 在設備運行時，在不關閉系統(tǒng)的情況下導通和關斷系統(tǒng)部件的電路。

[2] 截至2023年6月的東芝調查。

[3] 脈沖寬度：tw＝10ms，VDS＝48V