ASML和IMEC合力推進high-NA EUV光刻技術(shù)試驗線
荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML和比利時納米電子科技研究中心IMEC已宣布,將共同推進高數(shù)值孔徑極紫外線(high-NA EUV)光刻技術(shù)試驗線的研發(fā),以應(yīng)對未來半導(dǎo)體制造的挑戰(zhàn)。
ASML是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商,專注于提供先進的光刻設(shè)備和相關(guān)硬件、軟件服務(wù)。而IMEC則是全球最大的獨立納米電子研究機構(gòu),負責(zé)開發(fā)下一代的半導(dǎo)體制程技術(shù)。
High-NA EUV光刻技術(shù)是ASML和IMEC所看重的下一代半導(dǎo)體制程關(guān)鍵技術(shù)。NA(Numerical Aperture)是光學(xué)系統(tǒng)接收光的能力的度量,NA值越高,系統(tǒng)對光的分辨率越高,也就意味著可以刻畫出更小的特征尺寸。目前,EUV光刻已經(jīng)在5納米和3納米節(jié)點上得到應(yīng)用,但要在更小的節(jié)點上實現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn),就需要進一步提升NA值,也就需要high-NA EUV光刻技術(shù)的支持。
ASML和IMEC將在IMEC的總部設(shè)立high-NA EUV光刻試驗線,進行相關(guān)的研發(fā)和測試工作。目前,雙方已經(jīng)開始進行設(shè)備安裝和調(diào)試工作,預(yù)計2023年可以開始進行新設(shè)備的性能驗證和新工藝的開發(fā)工作。
ASML和IMEC表示,通過共同推進high-NA EUV光刻技術(shù)的研發(fā),可以更好地為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進步做出貢獻。隨著5G、AI、自動駕駛等領(lǐng)域的快速發(fā)展,對半導(dǎo)體設(shè)備的需求越來越大,同時,對設(shè)備性能的要求也越來越高。因此,通過提升光刻技術(shù)的性能,可以幫助半導(dǎo)體制造商實現(xiàn)更高效、更精細、更低成本的生產(chǎn)。
然而,high-NA EUV光刻技術(shù)的研發(fā)并非易事,需要解決包括光源、光學(xué)系統(tǒng)、光刻膠、掩模等多個技術(shù)難題。在這個過程中,ASML和IMEC的合作將發(fā)揮關(guān)鍵作用。通過共享資源、技術(shù)和經(jīng)驗,雙方可以共同面對挑戰(zhàn),加快技術(shù)的研發(fā)進程。
總的來說,ASML和IMEC的合作標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)對于高級光刻技術(shù)研發(fā)的重視,也預(yù)示著未來高性能半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)可能會有更大的突破。不僅如此,這也可能推動整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的升級,包括設(shè)備制造商、材料供應(yīng)商、芯片設(shè)計商等多個環(huán)節(jié)。
