此前日本已遵從美國的要求限制23種芯片設備和材料對中國出口，如今荷蘭也宣布了最新的決定，很可能導致ASML連38納米的1980Di光刻機出口也將造成障礙，中國的芯片制造工藝可能由此被阻止在40納米以上。

美國為了阻止中國發展先進芯片產業，可謂竭盡全力，2022年下半年，美國就已要求ASML限制14納米以下的光刻機出口，然而這半年多時間以來，中國大舉擴張28納米成熟工藝產能，依靠成熟工藝滿足國內芯片的需求。

今年3-5月份的數據顯示中國的芯片產能率先反彈，中國的芯片進口量進一步減少了450億顆，顯示出成熟工藝芯片仍然能滿足國內的需求，可以成熟工藝芯片替代進口芯片，這就讓美國煩心了，由此導致美國開始拉攏日本、荷蘭進一步采取措施。

日本首先響應，日本限制對中國出口45納米以下的芯片設備和材料，不過最關鍵的還是光刻機，畢竟光刻機目前難以替代，而ASML就是光刻機的領頭羊，這次美國成功拉攏了荷蘭，促使荷蘭出臺了最新的限制條件，ASML只能遵從。

此前ASML就曾表示它能對中國出口的最先進光刻機為38納米的1980Di，這款光刻機可以通過多重曝光的方式實現28納米乃至14納米工藝，如今荷蘭進一步采取措施，ASML恐怕連這款光刻機對中國的出口也將成為問題，這已導致ASML的股價大幅下跌。

面對美國、日本荷蘭的做法，中國的芯片產業難道真的因此而被鎖死在40納米以上，恐怕未必，畢竟這幾年中國的光刻機產業鏈也在加快發展。

中國自研的28納米光刻機已在驗證當中，在更先進的光刻機技術方面，日前哈爾濱工業大學就公布了一項“捅破天”的技術“能量轉換等離子體電路”，將DPP-EUV光從原理上推向了實際，在EUV光源方面取得重大突破，哈爾濱工業大學此前還公布了"超高精干涉"等技術，為國產光刻機的關鍵技術突破提供了支持。

國產光刻機產業鏈通過共同努力還在物鏡、雙工作臺等關鍵部件方面取得了進展，國產光刻機產業鏈在進一步完善，相信在各方的共同努力下國產先進光刻機必將會變成現實。

在芯片制造的其他環節，其實中國芯片產業鏈做得更快，芯片封裝技術已達到4納米，刻蝕機達到5納米，光刻膠等材料也在加快推進到5納米，這些無不顯示出國產芯片產業鏈的快速進步。

上述這些都是基于現有的硅基芯片技術，硅基芯片技術體系掌握在美國手里，中國只能一步步追趕，真正實現趕超的希望在于更先進的光子芯片、量子芯片技術，這些先進芯片技術將趕超現有的硅基芯片技術，而且中國在這些先進芯片技術方面從一開始就注重國產產業鏈的自主研發，將不再受制于海外。

筆者認為荷蘭、日本跟進美國的芯片限制，固然會對中國芯片產業鏈造成障礙，但是這也將讓中國芯片產業鏈感受到緊迫性，從而促使各方共同協作，進而加速國產芯片產業鏈的推進，相信中國人民的智慧和力量，自主研發實現的目標必然會成為現實。