第二代非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM)
英飛凌科技股份公司(fse:ifx / otcqx:ifnny)旗下的infineon technologies llc推出第二代非易失性靜態(tài)ram(nvsram)。新一代器件已通過(guò)qml-q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證,支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用,包括航天和工業(yè)應(yīng)用。

256 kb stk14c88c和1 mb stk14ca8c nvsram采用32引腳300 mil雙列直插式陶瓷封裝,符合mil-prf-38535 qml-q規(guī)格(-55°c至125°c)和英飛凌的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(-40 °c至85°c)。5 v和3 v版本均支持用于航天、通信和導(dǎo)航系統(tǒng)以及工業(yè)高爐和鐵路控制系統(tǒng)的引導(dǎo)代碼、數(shù)據(jù)記錄和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。英飛凌還提供晶圓銷(xiāo)售,以支持封裝系統(tǒng)。infineon technologies llc航天與國(guó)防業(yè)務(wù)副總裁helmut puchner表示:“新一代nvsram擴(kuò)展了英飛凌在電荷阱型存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。我們nvsram系列中新增的這些符合qml-q規(guī)范的高可靠性工業(yè)用器件證明了我們致力于為需要高性能、高可靠性存儲(chǔ)器的惡劣工作環(huán)境提供解決方案?!?/p>

英飛凌的nvsram技術(shù)將高性能sram與一流的sonos非易失性技術(shù)相結(jié)合。在正常工作條件下,nvsram的作用類(lèi)似于傳統(tǒng)的異步sram。斷電時(shí),nvsram會(huì)自動(dòng)將sram數(shù)據(jù)的副本保存到非易失性存儲(chǔ)器中,該數(shù)據(jù)的保護(hù)期限超過(guò)20年。英飛凌已交付超過(guò)20億顆基于sonos的非易失性嵌入式或獨(dú)立存儲(chǔ)器。
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