眾所周知，在半導體設備領域，我們是相當落后的，特別是光刻機，落后ASML應該有10年甚至落后更久。

也因為在半導體設備領域的落后，所以美國一直對中國半導體進行打壓，利用的就是設備這一塊，畢竟美國在半導體設備上，有著絕對的壟斷權。

不過有一種產品，美國從不限制出口，那就是刻蝕機，哪所是3nm的刻蝕機，美國也不會禁令美國企業(yè)出口到中國來。

原因是中國有自己的刻蝕機，并且是全球最先進的，可以同步達到5nm、3nm水平，美國禁令美國的先進刻蝕機銷量，那就是在給中國的刻蝕機讓出市場，所以美國不禁刻蝕機。

而中國最先進的刻蝕機，是中微半導體生產出來的，創(chuàng)始人是尹志堯博士，于2004年創(chuàng)立。

尹博士在創(chuàng)立中微之前，在英特爾、泛林、應用材料等企業(yè)均工作過。

英特爾是芯片企業(yè)，而應用材料是全球最大的，最先進的刻蝕廠廠商，泛林也是全球最大的半導體設備廠商之一，所以尹博士在這些企業(yè)工作，積累了大量的經(jīng)驗，人脈，技術。

媒體報道稱，尹志堯個人在半導體行業(yè)擁有86項美國專利和200多項各國專利，被譽為“硅谷最有成就的華人之一”。

他個人是功成名就了，但他看到中國在半導體設備領域落后，于是于2004年帶著錢，帶著一批精英人才回國（據(jù)稱第一批是15個），創(chuàng)辦了中微。

而在2007年，就研發(fā)出了第一代介質刻蝕機，并且全球首次采用可單臺獨立操作的雙反應臺，效率甚至比國外同類產品還要高30%。

這讓美國企業(yè)坐不住了，生怕中微搶自己的飯碗，于是在2009年1月，泛林集團指控中微公司的等離子蝕刻機侵害它的權利，并在臺灣發(fā)起訴訟。

沒想到的是，臺灣法院沒讓在他這一邊，駁回了泛林的訴訟，并認定泛林集團主張遭到侵害的是無效的，粉碎了泛林的陰謀。

而后中微發(fā)現(xiàn)，泛林集團在參觀中微時，非法獲取了中微公司機密的技術文件，和機密的反應腔內部照片。

于是在2010年，中微向上海市第一中級人民法院提起訴訟，主張泛林集團侵犯中微公司的商業(yè)秘密，并在對簿公堂之后，雙方你來我往6年多之后，于2017年3月贏得一審訴訟。

但泛林不服，繼續(xù)上訴至上海市高級人民法院，然后又經(jīng)歷了6年時間，近日正式宣判，泛林集團確認侵犯中微商業(yè)秘密，中微公司獲得二審勝訴。

可見，商業(yè)從來就是殘酷的，不僅有技術上的競爭，還有各種陰謀詭計，幸好中微公司幾次都打贏了官司，否則只怕市場都要被影響。

接下來，希望其它國產半導體設備，也像中微公司一樣，達到5nm、3nm，那么芯片禁令也就不攻自破，再也卡不住了。