此前，由于制造商及內(nèi)存供應(yīng)商庫存的增加和需求惡化，存儲市場陷入了嚴(yán)重衰退期。雖然存儲價格還在下跌，但情勢或?qū)⒂兴棉D(zhuǎn)。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，預(yù)計第三季整體NAND Flash均價持續(xù)下跌約3%~8%，第四季有望止跌回升，第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。

結(jié)合幾大原廠最新財報數(shù)據(jù)及市場動態(tài)顯示，庫存調(diào)整有所成效，市場出現(xiàn)了一些回溫的跡象。

三星、美光財報帶來回溫跡象？

近期，三星電子公布2023年第二季度財報的初步數(shù)據(jù)，期內(nèi)銷售額為60萬億韓元，同比下降22.3%；營業(yè)利潤從上一年的14.1萬億韓元降至6000億韓元，同比下降95.7%。行業(yè)人士認(rèn)為，雖然三星電子財報仍在持續(xù)下跌，但其利潤降幅小于行業(yè)人士預(yù)期。

美光科技財報顯示，三季度營收為37.5億美元，高于市場預(yù)期的36.9億美元，去年同期為86.4億美元，同比下降57%；利潤率下滑16.1%，利潤下滑幅度低于市場預(yù)測。

結(jié)合上述兩家大廠財報數(shù)據(jù)后，業(yè)界認(rèn)為，存儲芯片價格在持續(xù)下跌一年多以后，庫存過?，F(xiàn)象有所緩解，市場出現(xiàn)了一些復(fù)蘇的跡象。美光方面表示，存儲芯片行業(yè)已度過低谷。


庫存壓力仍在

雖然供需在走向平穩(wěn)，但存儲廠商的庫存壓力仍在。

半導(dǎo)體分析師王志偉對記者表示，雖然市場偶有漲價的消息傳出，但是否能因此帶動市況反轉(zhuǎn)，則仍須看整體需求和市場接受度。

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，受惠于DRAM供應(yīng)商陸續(xù)啟動減產(chǎn)，整體DRAM供給逐季減少，加上季節(jié)性需求支撐，減輕供應(yīng)商庫存壓力，預(yù)期第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。不過，目前供應(yīng)商全年庫存應(yīng)仍處高位，今年DRAM均價欲落底翻揚(yáng)的壓力仍大，盡管供給端的減產(chǎn)有助季跌幅的收斂，然而實際止跌反彈的時間恐需等到2024年。

而在對2023年DRAM市場的展望中，Yole方面認(rèn)為，“宏觀經(jīng)濟(jì)的不確定性使得近期需求預(yù)測非常不穩(wěn)定”，但供應(yīng)商的積極應(yīng)對將帶來“歷史最低的產(chǎn)能增加”，市場將在2023年下半年恢復(fù)平衡。報告稱，供應(yīng)商的庫存可能還需要幾個季度才能恢復(fù)正常。

王志偉認(rèn)為，從中長期來看，隨著人工智能時代的到來，全球算力正在以指數(shù)級增長，而這將直接拉動對存儲的需求。

Yole預(yù)測，未來五年，數(shù)據(jù)中心對DRAM的需求將增長30%以上，同期整體DRAM需求將以每年20%以上的速度增長。Yole表示：“AI（人工智能）、IoT（物聯(lián)網(wǎng)）和5G（第五代移動通信）相互交織，將為算力需求乃至DRAM需求提供強(qiáng)勁的順風(fēng)?！?/span>

NAND市場方面同樣不明朗。TrendForce集邦咨詢表示，原廠減產(chǎn)幅度持續(xù)擴(kuò)大，實際需求未明，第三季NAND Flash市場仍處于供給過剩。即便下半年有季節(jié)性旺季需求支撐，但目前買方仍持保守的備貨態(tài)度，壓抑NAND Flash價格止跌回穩(wěn)。第三季NAND Flash Wafer均價預(yù)估將率先上漲；SSD、eMMC、UFS等模組產(chǎn)品，則因下游客戶拉貨遲緩，價格續(xù)跌，預(yù)計第三季整體NAND Flash均價持續(xù)下跌約3%~8%，第四季有望止跌回升。


HBM爭霸戰(zhàn)開打

隨著ChatGPT（一種以類人方式回答問題的生成式人工智能聊天機(jī)器人）的興起，這又是韓國公司現(xiàn)在正在啟動另一項競爭場技術(shù)戰(zhàn)，將對高容量、高性能半導(dǎo)體（稱為高帶寬內(nèi)存（HBM））的需求不斷增長。消息表示，第二大內(nèi)存廠商SK海力士將在首爾舉行閉門投資者關(guān)系會議，向包括國家管理局補(bǔ)貼的機(jī)構(gòu)投資者和分析師介紹該芯片制造商的HBM能力。

SK表示，與早期產(chǎn)品相比，24GB封裝產(chǎn)品的內(nèi)存容量增加了50%?，F(xiàn)有HBM3產(chǎn)品最大內(nèi)存容量為16GB，采用 8層配置。該公司最新的12層、24GB HBM3擁有多達(dá)約819GB的數(shù)據(jù)處理速度，能夠在秒內(nèi)傳輸163部全高清電影。

與此同時，三星計劃在年底前開始大規(guī)模生產(chǎn) HBM3 芯片。

該公司高管表示，將斥資數(shù)千億韓元，到 2024 年底將天安工廠的 HBM3 芯片制造能力提高一倍。有消息人士稱，三星將向無晶圓廠芯片設(shè)計公司AMD等客戶供應(yīng)其產(chǎn)品。

據(jù)當(dāng)?shù)厝蘇B證券稱，到2024年，HBM3將占據(jù)其芯片銷售收入的18%，較今年預(yù)計的6%大幅提升。

三星芯片負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案部門總裁兼負(fù)責(zé)人 Kyung Kye-hyun 在本月早些時候的公司會議上表示，三星將努力控制一半以上的 HBM 市場。“我們收到了客戶對我們的 HBM3 產(chǎn)品的積極回應(yīng)，

三星董事長李在镕（Jay Y. Lee）在 5 月份的美國之行期間會見了 Nvidia 創(chuàng)始人黃仁勛（Jensen Huang）， 討論了擴(kuò)大業(yè)務(wù)合作伙伴關(guān)系的方法，特別是在 GPU和AP方面。

三星和SK海力士都希望他們的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)能夠通過HBM等大容量芯片容量的增加實現(xiàn)盈利。HBM芯片垂直互連多個DRAM芯片，與傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品相比，可大幅提高數(shù)據(jù)處理速度，其價格至少是 DRAM 的五倍。

分析師預(yù)計，三星芯片部門和 SK 海力士將在本周晚些時候公布業(yè)績時，點亮運(yùn)營杠桿將分別達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 8.5 萬億韓元（合65億美元）和6.3萬億韓元。


國產(chǎn)實力相差懸殊

HBM需求爆發(fā)，三星、SK海力士、美光三大存儲芯片巨頭正在將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至生產(chǎn)HBM，但由于調(diào)整產(chǎn)能需要時間，很難迅速增加HBM產(chǎn)量，預(yù)計未來兩年HBM仍將供應(yīng)緊張。

不過，在HBM領(lǐng)域，國內(nèi)廠商布局不大，只有一些廠商涉及封測。比如，國芯科技正在研究規(guī)劃合封多HBM內(nèi)存的2.5D的芯片封裝技術(shù)，積極推進(jìn)Chiplet技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用；通富微電在建先進(jìn)的2.5D/3D先進(jìn)封裝研發(fā)及量產(chǎn)基地，將實現(xiàn)國內(nèi)在HBM高性能封裝技術(shù)突破；華海誠科生產(chǎn)的顆粒狀環(huán)氧塑封料(GMC)可以用于HBM的封裝，相關(guān)產(chǎn)品已通過客戶驗證，現(xiàn)處于送樣階段。

總的來說，國內(nèi)HBM內(nèi)存芯片與國際巨頭的差距還是非常大。