在近期的一項重大科學突破中，中國科學院正式宣布創制出一種新型非線性光學晶體：全波段相位匹配晶體。根據研究院的披露，這種晶體在雙折射相位匹配技術的加持下，能夠透過范圍內任意波長的相位匹配，成為世界上首個實現全波段雙折射相位匹配的紫外/深紫外非線性光學晶體材料。

這一重要的科學突破給國內廠商在晶圓檢測領域帶來了巨大的機遇。晶圓檢測作為集成電路制造過程中至關重要的一步，其準確性和精確度直接影響到產品質量和市場競爭力。而全波段相位匹配晶體的問世，為國內廠商突破技術瓶頸提供了有力的支持和助力。


國產半導體向死而生

我們都知道，激光技術是20世紀尤其重要的科技突破，但很少人了解的是，激光在半導體領域也能派上大用場，包括晶圓檢測、晶圓切割等。然而，單純的激光所發揮出來的效能是縮水的，如果存在一種“介質”能夠提升其功率甚至使其本質發生改變，那么或許將在晶圓“缺陷”檢測上發揮重要作用，從而確保芯片的良品率，對于我國半導體的發展而言意義重大。

在老美的施壓下，日本、荷蘭等紛紛加強對我國半導體及其設備的出口管制，將于7月23日和9月1日正式實施新的管制措施。值得關注的是，日本對我國斷供的23種設備中，不僅僅包括回火、清洗、曝光等設備，也包括晶圓檢測設備，這意味著半導體設備各項技術全部遭到“卡脖”。

面對西方各國的層層圍堵，我國自研技術的創新突破顯得十分關鍵，這對于中企而言是一項艱巨而又重要的任務。

而不久前，中科院正式公開了一項新成果，他們推出了一種新型非線性光學晶體，名為全波段相位匹配晶體。據了解，該晶體作為一種紫外/深紫外非線性光學晶體材料，憑借雙折射相位匹配技術，可以實現范圍內任意波長的相位匹配，在世界范圍內沒有先例。一旦在國產晶圓檢測領域得到有效應用，將可能推動我國芯片的進一步發展。

要知道，雖然成熟芯片領域不需要對晶圓檢測提出多高的要求，但如果想要在14nm制程工藝上更進一步，完成7nm、甚至5nm芯片的制造則是難上加難。并且還要防止芯片制造時出現短路、劃傷、污染等情形，所以需要配備先進的晶圓檢測。

中科院晶體技術的突破，也引發全球半導體行業的熱議，其紛紛認為，我國有希望通過該項技術，在晶圓檢測及大科學裝置等領域拿下充足的話語權。外媒表示，光刻機封鎖事件的結果已經很明顯，即便老美窮追猛堵，但中國的國產半導體依然向死而生，半導體設備封鎖禁令對于他們而言并未起到太大作用，拜登顯然攔不住了！


全波段相位匹配晶體填補技術空白

非線性光學晶體是一種材料，可以通過非線性光學效應來改變激光的波長和頻率，使其在更廣泛的光譜范圍內進行調節。因此非線性光學晶體在半導體晶圓檢測領域有著廣泛的應用前景，可以提供更高的分辨率、更深的成像深度和更高的靈敏度，為半導體行業提供更精確和高效的檢測手段。

傳統的非線性光學晶體材料只能在特定波長下實現相位匹配，而全波段相位匹配晶體的出現填補了這一技術空白。通過雙折射相位匹配技術的引入，該晶體可以匹配范圍內任意波長的相位，為晶圓檢測領域帶來了更大的靈活性和可塑性。而且晶圓檢測可以幫助及早發現制造過程中的問題，避免不良品的產生。可別小看晶圓檢測，這個步驟如果把控不好沒有發現晶圓品質問題，后續的光刻、刻蝕、封測等步驟都沒有太大意義了。

中科院晶體技術這項科學突破對于國內廠商具有重要的戰略意義。一方面，全波段相位匹配晶體的使用可以提升晶圓檢測的準確性和效率，有助于提高產品質量和降低制造成本。另一方面，國內廠商通過掌握這一領先的技術，能夠在市場競爭中取得更大的優勢，實現技術突破和行業領先。

中國科學院所研制出的非線性光學晶體對中國半導體發展的意義是非常深遠的。

首先，這一突破提供了高性能晶體材料，滿足了半導體晶圓檢測等領域對高性能晶體材料的需求。在半導體產業中，晶體材料是重要的組成部分，用于制造半導體器件。具備雙折射相位匹配能力的全波段相位匹配晶體可以提供更高的檢測精度和可靠性，從而提升半導體生產的質量和效率。其次，這一突破為應用于大型科學裝置的新型晶體材料開辟了新的前景。大型科學裝置如激光器、光學顯微鏡和光學通信設備等對高性能晶體材料的需求日益增長。

然而，要充分發揮全波段相位匹配晶體的優勢和潛力，還需要加大對該技術的研發投入和人才培養。只有通過持續的科研創新和技術突破，才能不斷推動該技術的發展和應用，為國內晶圓檢測領域提供更可靠、更高效的解決方案。


中國科學家成功創制新成果的過程

這項光學晶體領域重大理論突破和材料制備成果，由中國科學院新疆理化所晶體材料研究中心潘世烈研究員團隊攻關完成，相關研究論文近期已在國際專業學術期刊《自然-光子學》在線發表。

論文第一作者、中國科學院新疆理化所晶體材料研究中心米日丁·穆太力普研究員介紹說，激光是20世紀人類最重大的發明之一，60多年來，13項諾貝爾獎與激光技術密切相關。非線性光學晶體是獲得不同波長激光的物質條件和源頭，可用來對激光波長進行變頻，從而擴展激光器的可調諧范圍。而在晶體中實現應用波段相位匹配被普遍認為是重要的技術挑戰之一，決定最終激光輸出的功率和效率。

目前有多種技術方案可供選擇，其中利用晶體各向異性的雙折射相位匹配技術是應用最廣泛的彌補相位失配的有效途徑。該方案轉換效率高，但現有晶體均存在相位匹配波長損失，即可用晶體紫外截止邊和最短相位匹配波長的差值表征。對此，中國科學院新疆理化所團隊之前就提出關于非線性光學晶體一種理想狀態的假設，即在基于雙折射相位匹配的非線性光學晶體中，是否可以實現“紫外截止邊等于最短匹配波長”的理想狀態？

本項研究中，研究團隊成功創制出全波段相位匹配晶體，這類晶體基于應用廣泛的雙折射相位匹配技術，且可以實現對晶體材料透過范圍內任意波長的相位匹配。該研究揭示出全波段相位匹配晶體的物理機制，并以此為指導獲得一例非線性光學晶體。同時，基于晶體器件實現193.2-266納米紫外/深紫外激光輸出，從而驗證了其全波段相位匹配特性，使該晶體成為目前全球首例實現全波段雙折射相位匹配的紫外/深紫外倍頻晶體材料。

米日丁·穆太力普稱，研究結果表明，全波段相位匹配晶體寬的相位匹配波長范圍，使非線性光學晶體透光范圍得到充分應用，可實現1064納米激光器二、三、四、五倍頻高效、大能量輸出，有望滿足半導體晶圓檢測等領域的重大需求。同時，該晶體具有生長容易、成本低、效率高、抗激光損傷等優勢，有望成為應用于大科學裝置的新晶體材料。他透露，在晶體制備方面，研究團隊已獲中國發明專利授權，并已向歐洲、美國、日本等提交國際專利申請。

論文通訊作者潘世烈研究員指出，波長短于200納米的深紫外激光因波長短、光子能量高等特點，在信息、工業、科研、國防等領域有重要應用價值。目前，世界上唯一可實用化深紫外倍頻晶體KBBF是由中國老一代科學家陳創天院士帶領團隊創制。中國科學院新疆理化所這次實現全波段相位匹配晶體的理論突破和材料制備，就是接過老一輩科學家“接力棒”并努力探索研究取得。

作為中國科學院新疆理化所所長，潘世烈研究員表示，該所下一步將加大對新型高性能、大尺寸晶體新材料的研究力度，在現有成果基礎上持續開展相關晶體材料、器件及激光光源應用的攻關研究，力爭產出更多原創性、引領性重大創新成果。