眾所周知，目前的芯片制造技術，均是以光刻技術為基礎的。

所有的晶圓廠制造芯片時，均是先將電路圖，刻在光掩膜板上，然后再利用光刻機的光線去照射，最后把這些電路圖投影涂了光刻膠的硅晶圓上，形成電路圖。

光刻機是其中必不可少設備，且是單價最貴的設備，同時光刻工序耗時最長。

更重要的是，光刻機全球就只有4家，分別是ASML、尼康、佳能、上海微電子。而其中浸潤式光刻機，只有尼康、ASML能制造，而EUV光刻機只有ASML能制造。

所以說ASML卡住了全球芯片廠商的脖子，所以大家也都在想另外的路線，如何繞開光刻機，采用其它方法來制造芯片，改變這種格局。

經過科學家們的研究，目前提出了很多方法，比如DSA自生長技術，還有BLE電子束光刻技術，還有X射線光刻技術，還有NIL納米壓印技術。

其中NIL納米壓印技術，被認為是最有潛力，最能夠替代光刻的一種芯片制造技術。

光刻技術采用的是光線投影，而NIL納米壓印技術，類似于蓋章一樣，先把電路圖刻在一個特殊的“印章”上，然后再將這個印章直接印到晶圓上，就形成了電路圖。

相比于光刻技術，這種技術成本更低、工序簡單，更容易批量操作的特點，所以被眾多廠商青睞，也被大家研究。

其中日本的佳能研究最深，申請的專利最多，還推出了相關的納米壓印技術，目前也用于存儲芯片的制造。

納米壓印的難點是如何制造最高精度的“印章”，畢竟現在的芯片都是納米級的，要刻一個這樣的“印章”出來比較難，佳能的目標是在2025年實現5nm芯片的制造。

而國內也有在納米壓印技術上，表現出色的企業，它就是華為哈勃投資青睞的天仁微納。

它成立于2015年，是一家微納加工設備和解決方案提供商，公司專注于納米加工領域，尤其是納米壓印技術。

目前天仁微納已經研發出了多款高精度紫外納米壓印設備。據官網資料顯示，他們的納米壓印設備，已經可以在150／300mm基底面積上實現高精度（優于10nm ），也說是說實際精度已經達到了10nm級別。

而目前這些設備，也用于DOE、AR／VR衍射光波導（包括斜齒光柵）、線光柵偏振、超透鏡、生物芯片、LED、微透鏡陣列等應用領域的量產。

雖然說，目前這種設備，并沒有用于大家最為熟悉的邏輯芯片、存儲芯片等，但相信也不太遠了。

既然佳能能夠在2025年實現5nm工藝，想必天仁微納也不會太落后，你覺得呢？

而一旦國產廠商，能夠不用光刻機，就實現10nm、甚至7nm、5nm的芯片制造，那么美國的芯片禁令就不攻自破了，再也限制不住了我們了。

所以讓我們拭目以待一下，看看國產納米壓印技術，會不會比國產光刻機技術，更早突破14nm、10nm等，這可是改變全球芯片格局的大事。