第三類半導體碳化硅（SiC）大廠纏斗競技賽升級，功率元件龍頭英飛凌（Infineon）捧著滿手長期合約（LTA）訂單，拍版在馬來西亞建全球最大8吋SiC晶圓廠；此舉頗有跟不久前才宣布在重慶建8吋晶圓的SiC龍頭意法（STM）互別苗頭的意味。

 

供應鏈業(yè)者指出，因成本競爭力較6吋提升明顯，近年各SiC大廠紛紛加碼8吋晶圓新產能投資。英飛凌全球8吋新廠拍版后，有如為SiC投入一顆深水炸彈，英飛凌與意法的纏斗順勢升級，而其它IDM廠也將大步跨入此戰(zhàn)場，這可從三個切面來探討。

 

其一，同樣鎖定中國市場。年初英飛凌與中國SiC晶圓廠天岳、天科合達簽定最受矚，因同步為中國SiC基板品質掛保證。

近日，外資機構分析，英飛凌原有基板來源還包括龍頭WolfSpeed、安森美（On-Semi）、日本羅姆（Rohm）等，值得注意的是，中系基板供應已佔其需求量約2成，未來幾季供應量可望倍增。

 

因良率難掌控，“擁SiC基板、擁天下”成顯學。業(yè)者指出，英飛凌是IDM廠中極少數未跨入SiC長晶自制者。年初在基板多重布局，被視為是新SiC晶圓廠將登場的起手勢，以續(xù)朝2030年在SiC市場達30%市佔率目標邁進。

 

市場一度觀望，英飛凌是否如車用一線供應商（Tier 1）博世（Bosch）般加碼美國投資SiC、讓該供應鏈如虎添翼？考量美中關係，這讓中國供應鏈暗自緊張，如今確定于馬來西亞建廠、使其鬆口氣。

 

另外，依東協(xié)貿易輸入中國免課稅、及地理位置來看，該廠或以支援中國、亞洲市場成份更多，但也暗示英飛凌在中國建廠的機率降低了；對比的是SiC主對手意法攜手三安，在中國重慶建8吋SiC晶圓廠，三安還將為其量身打造8吋基板新廠。

 

其二，鎖定客戶群不同。英飛凌新廠奠基于各客戶的預付款與LTA，其包括客戶來自車用、再生能源、儲能、工業(yè)用等。

車用的客戶有福特（Ford）、上汽、奇瑞；另有太陽能逆變器（PV Inverter）大廠SolarEdge，3家中系太陽能暨儲能系統(tǒng)廠；還有全球能源管理及自動化大廠施耐德電機（Schneider Electric）預定硅基（Si）及SiC功率產品。

 

實際上，意法與三安的重慶新廠，雖隻字不提最大客戶Tesla，但市場認為，該案就是為Tesla上海廠而來、以助其符合政府在地自制率要求，再者，也為中國電動車供應鏈快速成長的內需市場預先打造。

其三，兩種技術纏斗愈演愈烈。英飛凌強調，8吋新廠將利用業(yè)界最佳的SiC溝槽式（Trench）技術，有效區(qū)隔市場，其為該技術的代表廠；另一技術即為意法主導的平面型（Planar）。

 

業(yè)者補充，前者的技術結構較複雜、良率掌控不易、但節(jié)約SiC基板用量；后者較簡易、穩(wěn)定，但基板用量相對大，兩技術仍在纏斗中、難分高下。

只是，前波決戰(zhàn)點為Tesla Model 3率先採用平面型，這讓意法坐擁SiC龍頭寶座，也帶進其它車廠跟進使用，而安森美也被傳出已切入Tesla供應鏈。

 

如今英飛凌加大溝槽式產能、又兵分多路加速滲透各領域，頗具圍剿以車用為主的平面式市場，實際上，諸多業(yè)者也積極朝溝槽式邁進，例如安森美正投入開發(fā)溝槽式SiC金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），計劃2024年推出樣本。