全球半導體供給緊張，三星電子位于南韓平澤(Pyeongtaek)的第二工廠，最快會在今年6月上線，可望提供更多晶圓代工產能、并生產更多記憶體。

BusinessKorea 報導，三星平澤一廠(P1)于2017年6月量產，該公司隨后在2018年動工興建二廠(P2)。新廠已在去年下半使用極紫外光(EUV)微影技術，量產第三代10納米LPDDR5行動DRAM。

今年下半，平澤二廠將啟用新的晶圓代工產線和次世代V- NAND flash產線。三星高層透露，平澤二廠的所有產線，將一如預期在2021年下半投產。業界內部人士透露：「據我所知，平澤二廠從2021年初開始，持續提高運作率」。

三星電子2020年5月新聞稿表示，平澤廠的新晶圓代工產線，以EUV為基礎的5納米產線為主，預定2021年下半全面啟用。新產線將協助三星擴大采用最先進的制程技術，用于5G、高效能運算(HPC)、人工智能(AI)等。

韓國時報2020年11月報導，三星電子預料景氣將復蘇，據傳要增加DRAM、NAND flash、晶圓代工產能，準備借此沖刺市占，擴大和競爭對手的差距。

美系資產組合經理人表示：「(增產理由是)2021年全年DRAM、NAND將嚴重短缺，帶動價格和獲利復蘇」。據了解三星DRAM的每月晶圓產能將增加3萬片、NAND增加6萬片、晶圓代工增加2萬片。

增加產能主要在三星南韓平澤(Pyeongtaek)工廠。NH Investment分析師Do Hyun-woo說：「三星會積極生產NAND記憶體，不過將對DRAM維持保守態度。由于晶圓代工芯片將短缺，2021年三星至少會對平澤廠和美國德州奧斯汀廠投資10兆韓圜」。該資產組合經理人透露：「一般認為三星不會大幅增加記憶體的晶圓產能，以免重蹈2018年覆轍，這次的上行循環中，(三星)增產作法將更理性。三星調整策略，可能是要趁數字變化、供給收緊時，搶下更大市占」。