眾所周知，全球的存儲芯片市場，其實是被美、日、韓的廠商壟斷的。

如下圖所示，三星、SK海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)這5大廠商，占了全球DRAM+NAND存儲芯片市場份額的95%。

所以這5大廠商，牢牢的掌握在著存儲芯片的定價權(quán)，同時也實行技術(shù)壟斷，不讓其它存儲芯片廠商，有出頭之日。

不過，這個局面，被中國的長江存儲打破了。這家2016年才成立的小存儲企業(yè)，僅7年時間，就實現(xiàn)了市場從0到5%左右的突破。

不僅如此，這家成立僅7年的企業(yè)，在2022年的時候，全球首發(fā)232層堆疊的3D NAND閃存，打破了美、日、韓的技術(shù)封鎖，在技術(shù)上成為了全球第一。

按照專業(yè)人士的說法，這可能是中國芯片產(chǎn)業(yè)有史以來，第一次領(lǐng)先于全球，也證明了中國人只要努力，再尖端的芯片產(chǎn)品一樣能夠做到全球第一。

這當然是美國不愿意看到的，于是美國對長江存儲進行了打壓，對128層及以上NAND Flash的供應(yīng)鏈進行封鎖，不允許這些設(shè)備，賣到中國來。

甚至按照業(yè)內(nèi)人士的說法，在禁令執(zhí)行前買到的先進設(shè)備，在維護、修理時都會受到影響，連修理這些受限設(shè)備，都需要許可證，否則壞了就沒法用了。

不用懷疑，這對長江存儲而言，影響是非常大的，畢竟擴產(chǎn)受限，同時研發(fā)更先進的工藝，也會受限，畢竟目前芯片產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)域，美、日、歐占壟斷地位。

本來最先量產(chǎn)232層3D NAND閃存，領(lǐng)先于三星、美光等企業(yè)，可以借這個時間窗口好好的搶一波市場，但被美國制裁之后，時間窗口消失了，同時讓三星、美光、SK海力士等企業(yè)，有了追趕甚至超越的時間。

比如SK海力士，之前公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品，而三星、美光也先后公布了自己最新的300+層的 NAND閃存，明顯從原本的落后長江存儲，變成了領(lǐng)先長江存儲了。

可見，國產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)真的要發(fā)展起來，我們就絕不能依賴國外供應(yīng)鏈，來研發(fā)自己的先進技術(shù)，否則就如空中樓閣，別人一捏就死。

只有依賴自己供應(yīng)鏈研發(fā)出來的先進技術(shù)，才是真正自主可控，不怕被別人卡脖子，沒有后顧之憂，所以國產(chǎn)供應(yīng)鏈加油吧。