一直以來由于眾所周知的原因，國產芯片在先進工藝研發方面遭遇了不小的困難，直到近期一款國產5G芯片的出現，證明了國產芯片取得了重大的進展，芯片工藝大突破，芯片性能也取得了相當大的提升。

據某知名博主測試結果顯示該款國產5G芯片的單核性能已接近2021年高通驍龍888的水平，單核性能只是比驍龍888搭載的X1核心稍弱，要知道驍龍888可是一款采用5納米工藝生產的芯片，國產5G芯片能達到如此水平已是巨大的進步。

國產芯片一直都在努力尋求突破7納米工藝，不過由于受到EUV光刻機的限制，而始終難以取得進展，然而如今這款國產5G芯片的推出，卻超越了7納米工藝，證明了國產芯片在先進工藝方面已取得長足進展。

另一方面則是業界曾認為受制于無法獲得ARM的V9架構授權，國產芯片的性能提升將難以推進，然而首款國產化的5G芯片卻能達到ARM首顆超大核心X1的水平，證明國產芯片在核心架構方面也已取得了長足進展。

不過該博主也指出這款國產5G芯片稍有遺憾的是功耗方面，據測試顯示它的功耗比驍龍888的X1核心高出1瓦，為此搭載該芯片的國產5G手機不得不采用了超大散熱片，以確保手機的穩定運行，只是這瑕不掩瑜。

國產5G芯片的推出對國產芯片具有重大意義，首先這意味著國產的芯片產業鏈已取得重大突破，此前美國拉攏荷蘭和日本限制對中國出口先進的芯片設備，然而國產5G芯片的性能接近5納米的驍龍888，也就意味著它們的圖謀已經破產。

荷蘭的ASML也已迅速對此做出反應，ASML在這款國產5G芯片推出僅僅數天就表示可以對中國出售更先進的2000i光刻機，這臺光刻機可以用于生產7納米工藝，當年臺積電就是以這臺光刻機生產出第一代7納米工藝，可以看出國產5G芯片的推出對他們的震撼有多大。

其次則是鼓舞了國產芯片研發自主芯片架構，由于ARM與中國芯片的合作受阻，至今ARM都未對多家中國芯片授權ARM V9架構，如今國產芯片通過自研芯片架構達到較為先進的水平，將促使國產芯片進一步研發自主芯片架構，目前國產芯片已大力推動RISC-V和loongarch架構的發展，依托于國產芯片的實力可望在這些受控的芯片架構上研發更先進的芯片。

再次則是先進芯片工藝的影響對國產芯片并沒有預期的那么大，國產芯片可以通過芯片架構升級、芯片工藝變革來提升芯片性能，蘋果的A17處理器在采用了最先進的3納米工藝情況下也僅提升了10%的性能，意味著3納米其實比5納米并沒有先進太多，這為國產芯片依托于現有工藝縮短與海外芯片的差距有了更充足的信心。

總的來說國產5G芯片的成功對國產芯片起到了鼓舞信心的作用，國產芯片將因此進一步推動自主研發，避免持續受制于海外芯片技術，知名院士倪光南早就指出國產芯片的先進技術是買不來的、求不來的，只能通過自主研發獲得，如今這一切都得到印證，而隨著國產芯片的推進，海外正逐漸認識到阻擋不了中國芯片前進的腳步。