眾所周知，前段時間華為麒麟9000S芯片的橫空出世，讓大家都認為，我們有了7nm芯片的制造能力。

因為按照外媒采用電子顯微鏡，對這顆芯片進行掃描并逆向分析后，得出其晶體管密度約為98MTr/mm2，也就是9800萬個每平方毫米，與臺積電的7nm工藝差不多。

我們沒有EUV光刻機，那么這種等效于7nm的芯片，是如何造出來的？專業人士分析，采用浸潤式光刻機，采用多重曝光的技術。

而浸潤式光刻機，之前ASML是可以賣給我們的，ASML只有EUV不能賣給我們，所以我們可以利用浸潤式光刻機，進行多重曝光，最終搞定7nm。

事實上，美國去年的芯片禁令，是限制任何14nm及以下工藝的設備賣到中國來的，所以嚴格的來講，對美國而言，這種浸潤式光刻機，其實算是一個“漏洞”了。

所以，當麒麟9000S橫空出世之后，近日，美國終于再次出手，將這個“漏洞”堵住了。

按照近日再次升級的芯片禁令，針對光刻機，美國提出了更高的要求，針對193nm波長、分辨率小于40nm的光刻機，其DCO值不能小于2.4，而去年針對這種光刻機，DCO的值是不小于1.5。

而ASML目前在售的所有浸潤式光刻機中，相對最落后的一款型號是NXT:1980Di，波長是193nm，分辨率是38nm，DCO值是1.6，介于1.5和2.4之間。

按照去年的禁令，DCO值是1.6大于1.5，所以是可以銷售的。按照這次升級的禁令，DCO值小于2.4了，所以又是不能銷售的，那么意味著ASML所有的浸潤式光刻機，均無法賣到中國大陸來了。

很明顯，美國這次就是想將所有浸潤式光刻機都堵住，不留任何破綻，讓我們想利用浸潤式光刻機，采用多重曝光技術來生產7nm芯片都不行，從而阻止麒麟9000S這樣的芯片出現。

不過，大家也都清楚，之前這種浸潤式光刻機沒有受限，所以國內肯定買了很多，這些光刻機后續可以繼續使用，短時間之內肯定沒太多問題的。

但是，由于禁令限制，一旦所有浸潤式光刻機都受限之后，后續的維護、保養、更換備件都會受影響，所以最終還得自研，靠自己來突破才行。