根據市場研究公司TrendForce的數據，從2023年到2027年，全球成熟（>28nm）與先進（<16nm）IC工藝的比例預計將徘徊在7:3左右。在促進本土生產和國內集成電路發展的政策和激勵措施的推動下，中國的成熟工藝產能預計將從今年的29%增長到2027年的33%。領先者是中芯國際、華虹集團和晶合集成等巨頭，而臺灣地區的份額預計將從49%下降至42%。

成熟制程集成電路廣泛應用于汽車行業，而汽車行業的芯片供應仍面臨困境。由于汽車的生命周期很長，許多汽車系統使用的芯片正在被半導體公司逐步淘汰，取而代之的是更昂貴、最先進的芯片。

研究公司IDC對此表示同意，但預測擴張速度將略有放緩。按生產地劃分，中國大陸占整體工業面積的比重將持續增加，2027年將達到29%，較2023年增加2個百分點。臺灣地區的市場份額將從2023年的46%下降到2027年的43%。美國在先進制程部分將有所斬獲，預計2027年7納米及以下的份額將達到11%。

TrendForce表示，雖然中國積極爭取全球和國內IC設計商，以加強其本土制造業務，但隨之而來的大規模擴張可能會讓成熟的工藝涌入全球市場，從而可能引發價格戰。隨著中國成熟工藝能力的不斷涌現，驅動IC、CIS/ISP、功率分立器件的國產化趨勢將更加明顯。具有相似工藝平臺和能力的二三線代工廠可能面臨客戶流失和定價壓力的風險。以特種工藝而聞名的臺灣地區行業領導者——聯電、力機電、Vanguard等——將發現自己處于風暴中心。未來的競爭將取決于技術實力和高效的產量。

“地緣政治的變化正在從根本上改變半導體行業的格局。雖然直接影響可能是微妙的，但長期戰略更多地關注供應鏈的自立、安全和控制。”IDC亞太區半導體研究主管兼臺灣地區經理Helen Chiang在一份聲明中表示:“行業運營將從全球合作轉向多地區競爭。”

據TrendForce稱，在驅動器IC領域，高壓（HV）特種工藝是業者關注的焦點。隨著各公司積極追求40/28nm HV工藝，聯華電子目前占據主導地位，格羅方德（GlobalFoundries）緊隨其后。然而，中芯國際的28HV和晶合集成的40HV正分別準備于2023年第四季度和2024年上半年量產，從而縮小與其他代工廠的技術差距。具有類似工藝能力和產能的競爭對手，如力機電，以及沒有12英寸工廠的競爭對手，如Vanguard和DBHitek，將在短期內面臨挑戰。據TrendForce稱，這一趨勢也可能對聯華電子和格羅方德產生長期影響。

在CIS/ISP領域，3D CIS結構包括邏輯層ISP和CIS像素層。主流制程的主要界限是邏輯層ISP的45/40nm范圍，該范圍繼續向更高級的節點發展。同時，CIS像素層與FSI/BSI CIS一樣，主要采用65/55nm及以上工藝。據TrendForce報道，目前，臺積電、聯華電子和三星是這項技術的領跑者。

不過，該公司補充稱，中芯國際和晶合集成等中國企業正在縮小差距。中國智能手機巨頭OPPO、Vivo和小米進一步推動了它們的崛起。在政府政策的推動下，中國的CIS公司（如豪威集團、格科微電子和思特威等）開始支持本土生產。

功率分立器件主要包括MOSFET和IGBT等產品。Vanguard和華虹宏力深耕功率分立器件工藝已有一段時間，擁有比許多競爭對手更全面的工藝平臺和整車認證。然而，TrendForce表示，在有利于電動汽車和太陽能計劃的國家政策的支持下，中國競爭者正在加劇該領域的全球競爭。其中包括華虹宏力、中芯國際、晶合集成和粵芯半導體等主流代工廠。GTA 和華潤微等規模較小的中國IDM和代工廠也加入了競爭。如果中國大規模提高產能，將加劇功率離散制造領域的全球競爭。這種影響不僅會引發中國本土企業之間的價格戰，還可能侵蝕臺灣地區企業的訂單和客戶。