眾所周知，前段時間，佳能官宣自己的FPA-1200NZ2C光刻設備，可以出貨了，這種光刻設備，采用的是NIL納米壓印技術，可以制造 5 nm 芯片。

一時之間，全網沸騰，大家都表示，這是繞開了ASML的EUV光刻機，能直接生產5nm芯片，是一個偉大的進步，ASML接下來估計要哭了。

畢竟之前所有的芯片制造，進入5nm時，必須使用EUV光刻機，而EUV只有ASML能夠制造，所以ASML是高端光刻機的王者，現在佳能攪局，讓大家不需要從ASML采購EUV光刻機，也能夠生產芯片，當然對ASML影響最大。

且佳能還表示，這一代NIL納米壓印光刻機之后，佳能正在研究下一代，可以實現2nm的芯片制造，也不需要EUV光刻機。

當然，業界對這個技術也比較質疑，因為之前鎧俠、SK海力等，與佳能合作過，搞過NIL納米壓印技術，還是在20多納米的時候，但那時候良率低，效率也低，現在進入5nm，佳能搞定良率、效率等問題了么？

還有人質疑，有了NIL納米壓印光刻機后，EUV光刻機真的可以扔了么？

但我告訴大家一個事實，那就是你使用NIL納米壓印技術來制造5nm芯片時，其實還離不開EUV光刻機。

NIL納米壓印技術的原理，很簡單，就像蓋章一樣，第一步先雕刻一個圖章出來，下一步拿這個圖章，直接印到硅晶圓上，就形成了電路圖。

只要這個圖章不磨損，就可以一直蓋章蓋下去，看起來確實簡單很多，原理也簡單。

但核心是這個圖章，你必須制造出和設計出來的芯片一樣大小，一樣圖案的圖章，然后才能蓋下去，如何制造這個圖章，才是真正的核心問題。

蓋章的過程示意

目前在NIL納米壓印技術生產線中，圖章的制造，還是采用EUV光刻機來制造，用EUV光刻機來雕版，制造成需要的圖章，然后再利用NIL納米壓印技術，拼命的往硅晶圓上蓋章，制造成芯片。

可見，在這個技術之下，EUV光刻機依然繞不過去，只是可能需求量沒那么大了，畢竟只需要制造前期的母版就行。

但要完全繞開EUV，似乎還不可行，并且這個NIL技術，可靠性怎么樣，效率怎么樣，良率怎么樣，與其它半導體設備的配合又怎么樣，還不清楚，所以大家別想著，有了這個NIL光刻機，EUV就不重要了，所以我們還是老老實實的，一步一步往前走，別想著繞道或偷懶，你覺得呢？