眾所周知，美國在本月再次升級芯片禁令，將大家最關注的浸潤式光刻機，也禁了。

理論上，浸潤式光刻機，雖然也是采用193nm波長的光源，但通過多重曝光之后，最高可以支持到7nm。

美國之所以禁了它，很多人猜測是被華為Mate60這款手機嚇住了，因為在禁令之下，中國居然能獨立搞出等效于7nm的芯片來，這是美國不能接受的，所以轉身又將浸潤式光刻機也禁了。

禁了浸潤式光刻機，我們的芯片產業怎么辦？無法再生產7nm芯片，再也無法進入7nm之下了么？

近日，臺積電前研發副總，浸潤式光刻機之父林本堅表示，美國是無法阻止中國大陸在先進制程芯片技術方面的進步，中國大陸可以利用現有設備，推進到5nm工藝。

其它人這樣說，可能大家覺得是在吹牛，但林本堅這樣說，意義卻不一樣的。

他不僅是臺積電前研發副總，更是浸潤式光刻機之父。當初尼康、佳能、ASML均在研發光刻機，大家在193nm波長的光源之后，有了分歧，尼康、佳能等要改進光源，采用154nm的，但這種光源非常不穩定，很難搞。

而林本堅覺得，利用水的折射原理，將193nm波長光源，經過水的折射后，就等效于134nm了，波長更短，同時還直接跳過154nm這個難搞的波長了。

尼康、佳能不相信他，堅持搞自己的154nm波長的光刻機。當時ASML還是小廠，反正也生存困難，不如陪林本堅賭一把，于是和臺積電配合，搞出浸潤式光刻機。

最后浸潤式光刻機非常成功，ASML占得先機，因此將佳能、尼康甩在了身后，奠定了自己光刻機老大的地位，最后現搞出EUV光刻機，佳能、尼康就徹底不是對手了。

可見，林本堅對光刻機技術，芯片技術都是非常了解的，他認為我們基于現有設備，能夠繼續改進，然后推進到5nm，那么這很可能就會成為現實。

事實上，除了利用現有設備進行改進，推進到5nm之外，目前國產光刻機也在不斷的突破，這是兩條不同的線，任何一條線的前進，都能實現5nm這個小目標。

所以說，美國打壓，其實真的是沒有意義的，反而會逼著中國供應鏈崛起，最終擺脫對國外的依賴，甚至有可能讓國外的芯片設備廠商，徹底失去中國大陸這個市場。

那什么時候我們能搞定5nm？就讓時間來證明了，不知道那時候，美國還有何辦法可想？是不是就得放開，然后進行傾銷來打壓了？