2023年11月13日，SK海力士宣布，公司正式向客戶供應LPDDR5T（Low Power Double Data Rate 5 Turbo）的16GB（千兆）容量套裝產(chǎn)品，這是迄今為止最快的移動DRAM產(chǎn)品，可實現(xiàn)每秒9.6Gpbs（每秒9.6千兆）的傳輸速度。

自今年1月成功研發(fā)出LPDDR5T以來，SK海力士不斷通過與全球各地的移動應用處理器（AP）制造商進行性能驗證，以持續(xù)推進該產(chǎn)品的商業(yè)化進程。

SK海力士表示，LPDDR5T是目前為止可以實現(xiàn)最大幅度提升智能手機性能的最佳存儲器產(chǎn)品，其速率達到了前所未有的高度。公司還強調(diào)將繼續(xù)擴大這一產(chǎn)品的應用范圍，進一步引領移動DRAM領域的更新迭代。

LPDDR5T的16 GB容量套裝產(chǎn)品可在國際半導體標準化組織（JEDEC）規(guī)定的最低電壓1.01至1. 12V（伏特）標準范圍下運行。該產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度為每秒77GB，相當于每秒可傳輸15部全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）電影。

公司最近正式向全球智能手機制造商vivo供應該產(chǎn)品。vivo也宣布其旗下最新款智能手機X100和X100 Pro都將配備SK海力士最新內(nèi)存套裝產(chǎn)品。

同時，該智能手機還將搭載聯(lián)發(fā)科技的頂級AP平臺--天璣9300。今年8月，SK海力士證實已完成與聯(lián)發(fā)科技新一代移動AP的性能驗證。

世界最快LPDDR5內(nèi)存正式登場

高速內(nèi)存對于手機性能至關(guān)重要，現(xiàn)在我們同時迎來了美光的最新LPDDR5X、SK海力士的獨家LPDDR5T，數(shù)據(jù)傳輸率都高達9.6Gbps(GT/s)。

美光LPDDR5X-9600采用其最新的1β工藝制造，單顆封裝最大容量16GB(不知道用了幾顆Die)，速率相比此前最快的LPDDR5X-8533又提高了12％。美光提到，新內(nèi)存應用了增強版的動態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)技術(shù)(DVFS)，PC處理器上很常見。

美光宣稱，它比友商1α工藝的LPDDR5X把功耗降低了最多30％。

SK海力士的LPDDR5T-9600早就宣布了，與聯(lián)發(fā)科有深度合作，今年8月份通過了驗證。它的單顆封裝容量最大也是16GB，制造工藝為1α，VDD電壓范圍1.01-1.12V，VDDQ電壓為10.5V。

作為對比，LPDDR5X的最大VDD電壓為1.1V，也就是說LPDDR5T略微提高了一些。

美光LPDDR5X-9600預計會成為驍龍8 Gen3旗艦機的標配，SK海力士LPDDR5T-9600自然會主要搭配天璣9300旗艦機，當然也能用于驍龍8 Gen3平臺。


市場逆境下，存儲大廠仍爭相布局

在LPDDR技術(shù)正常迭代背后，在智能手機更高性能和容量需求情況下，是三星電子、SK海力士以及美光三家內(nèi)存巨頭在全球LPDDR5X這一最新技術(shù)領域的激烈競爭。

從市場格局來看，在DRAM這個重要的存儲芯片細分領域，三星、SK海力士和美光是當之無愧的佼佼者。研究機構(gòu)ICInsights的數(shù)據(jù)顯示，2021年三大廠商共占據(jù)DRAM市場94%的份額。其中第一名韓國三星電子約占43.6%，第二名韓國SK海力士約占27.7%，第三名美國美光約占22.8%。

據(jù)ICinsights消息報道，疲軟的經(jīng)濟狀況和高通脹率減緩了全球?qū)€人電腦、主流智能手機和其他消費電子產(chǎn)品的需求。

因此，DRAM旺季不旺，需求呈螺旋式下降，預計2022年下半年銷售額將下降40%至293億美元，預計2022全年DRAM市場將下降18%。

三星、SK海力士、美光等行業(yè)巨頭紛紛表示季度內(nèi)存銷售額大幅下滑，并且預計DRAM市場疲軟將持續(xù)到今年年底，至少會持續(xù)到2023年第1季度。

存儲芯片市場迎來下行周期，產(chǎn)業(yè)變得愈發(fā)保守起來，比如縮減產(chǎn)能、靈活調(diào)整資本支出。美光科技預計2023財年資本支出為80億美元，同比下滑33%；SK海力士決定將明年的投資規(guī)模從今年預計的15-20萬億韓元減少到50%以上；相比之下，三星暫未宣布減少2023年投資，保持了逆周期擴產(chǎn)的傳統(tǒng)，只示可能靈活調(diào)整2023年設備方面的資本支出。

不過，在逆境之下，存儲大廠始終對先進技術(shù)保持積極投入的態(tài)度。

LPDDR5X在取得更高帶寬和更快速率的同時，降低了系統(tǒng)的整體功耗，除了在技術(shù)標準上的革新外，使用更先進的工藝節(jié)點，功耗效率自然會相應提升。

對DRAM芯片而言，先進制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗。在芯片工藝制程上，DRAM目前的表述和以前有所不同。因為電路結(jié)構(gòu)是三維的，所以線性的衡量方式不再適用，相較于之前的多少納米，出現(xiàn)了1X、1Y、1Z、1α、1β、1γ之類的術(shù)語表達制程。

當前，DRAM先進制程工藝經(jīng)歷了1x、1y、1z與1α四代技術(shù)。三星、SK海力士和美光已在2016-2017年期間進入1Xnm階段，2018-2019年進入1Ynm階段，2020年后進入1Znm階段。最新的1αnm，仍處于10+nm階段。

目前，各大廠家在繼續(xù)向10nm逼近。