眾所周知，目前的芯片工藝均是光刻工藝，即通過光學(xué)--化學(xué)反應(yīng)原理，用光線將電路圖傳遞到涂了光刻膠硅晶圓上，形成有效的電路圖形。

而芯片非常小，電路圖很復(fù)雜，一顆芯片甚至幾十層電路路，而用晶體管密度來看，現(xiàn)在的3nm工藝下，每一平方毫米，更是達到了近2億個晶體管，所以光刻工藝非常復(fù)雜和精細。

所以光刻機的分辨率，一定程度上就決定了芯片的工藝，所以針對光刻機的分辨率，也就有了i線、G線、KrF、ArF、ArFi、EUV這么幾種光刻機。

其中ArFi光刻機也稱作浸潤式光刻機，是當(dāng)前使用最廣的光刻機，因為它只是ArF光刻機的改進，光源一樣，均是采用193nm，只是在晶圓前加了一層水為介質(zhì)，光線通過水之后，經(jīng)過折射后等效為134nm，波長短了，分辨率就高了。

所以ArF理論上可以支持到65nm工藝，而ArFi在大家的心目中，理論上可以支持到7nm。

但事實上，大家并不清楚的是，對于浸潤式光刻機而言，7nm遠不是終點，如果不計成本的話，浸潤式光刻機，達到3nm、2nm也沒問題的。

這里就牽涉到一個多重曝光、對準(zhǔn)的問題。

比如一顆芯片，原本的電路圖是10層，我們可以拆分成30層，或40層或更多，這樣通過多次光刻工藝，最終就能夠?qū)崿F(xiàn)更高的分辨率。但每一次光刻，中間不能有誤差，這就是對準(zhǔn)的問題。

就像你要在一張比較小的紙上拓印一個“王”字，直接一次性拓印上去肯定不行，因為紙?zhí)×耍敲茨憔头殖蒒次來拓印，第一次只拓一橫“一”，再慢慢挪動紙，再拓一橫“一”，再拓一豎“|”,然后就變成了“干”，最后再拓一橫，變成“王”。

這中間每拓一筆，就要慢慢挪動紙，但每次的誤差都要可控，這就是難點。

芯片的多重曝光其實是一樣的道理，只要每次的誤差足夠小，事實上可以將一顆工藝很小的芯片，分N次光刻到硅晶圓上的。

但是這種辦法之下，成本非常高，畢竟以前一次光刻就行了，現(xiàn)在一次光刻變成10次，甚至20次了，花費的時間就多了20倍了，相當(dāng)于成本就高了20倍。

再考慮到每多曝光一次，良率就降低了，所以實際上成本比20倍更高，芯片是商業(yè)化、要市場化的，成本過高，就沒法用，所以一般浸潤式光刻機，最多制造7nm芯片后，就不再向前推進了，因為推進后成本高到?jīng)]法商用。

但并不代表，它的極限就是7nm，實際上，從理論上來講，并沒有所謂的極限，只要不惜成本，是可以一直折騰下去的……