尼康宣布，將于2024年1月正式推出ArF 193納米浸沒式光刻機“NSR-S636E”，生產效率、套刻精度都會有進一步提升。

據悉，尼康這款曝光機采用增強型iAS設計，可用于高精度測量、圓翹曲和畸變校正，重疊精度(MMO)更高，號稱不超過2.1納米。

分辨率小于38納米，鏡頭孔徑1.35，曝光面積為26x33毫米。

對比當前型號，它的整體生產效率可提高10-15％，創下尼康光刻設備的新高，每小時可生產280片晶圓，停機時間也更短。

尼康還表示，在不犧牲生產效率的前提下，新光刻機可在需要高重疊精度的半導體制造中提供更高的性能，尤其是先進邏輯和內存、CMOS圖像傳感器、3D閃存等3D半導體制造，堪稱最佳解決方案。

另據了解，新光刻機的光源技術是20世紀90年代就已經成熟的“i-line”，再加上相關零件、技術的成熟化，價格將比競品便宜20-30％左右。

不過，目前尚不清楚尼康這款光刻機能制造多少納米的芯片。

日本尼康、佳能與荷蘭阿斯麥(ASML)曾經是光刻機三巨頭，但因為點錯了科技樹，沒有跟上阿斯麥的193納米浸沒式光刻技術，逐漸沒落，尤其是在EUV極紫外光刻技術上毫無建樹。

為了生存，尼康、佳能基本放棄了對尖端光刻技術的角逐，更專注于難度更低、價格更低的成熟工藝光刻設備。

但他們也并非一無是處，比如佳能研發了納米壓印技術(NIL)，無需EUV就能制造5納米芯片。

但是，佳能CEO Fujio Mitarai透露，公司的新納米壓印技術將為小型半導體制造商生產先進芯片開辟一條道路，但不會賣給中國廠商。

由于該設備可以用于制造5nm尖端制程芯片，且不是基于光學技術，引起了中國廠商的興趣，但可能無法實現。

今年7月，日本擴大了對芯片制造出口的限制，但沒有明確提到納米壓印光刻技術。

Mitarai稱，佳能可能無法將這些機器運往中國。我的理解是，14nm技術以外的任何產品都是禁止出口的。

據悉，納米壓印技術采用與傳統投影曝光技術不同的方法形成電路圖案，該設備不僅功耗更低、更環保，而且成本遠低于現階段ASML的EUV光刻機。

Mitarai重申:“我不認為納米壓印技術會取代EUV，但我相信這將創造新的機會和需求，我們已經收到了很多客戶的咨詢。”