12月13日，在荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥公司（ASML）總部舉行的半導(dǎo)體合作協(xié)議儀式上，韓國半導(dǎo)體巨頭三星電子與該公司簽訂了建立EUV聯(lián)合研究中心的合作備忘錄。

根據(jù)備忘錄內(nèi)容，EUV聯(lián)合研究中心將建在韓國首都地區(qū)，三星電子和阿斯麥公司將共同投資7億歐元(約1萬億韓元)用于開發(fā)下一代曝光設(shè)備。通過此次和ASML成立聯(lián)合研究中心，三星電子稱將計(jì)劃提早引入ASML下一代曝光設(shè)備，并增加最新產(chǎn)品的生產(chǎn)比例，以引領(lǐng)存儲微工藝的創(chuàng)新。

為了保持能夠在先進(jìn)制程賽道上與行業(yè)伙伴競爭，三星電子當(dāng)前已砸下重金。根據(jù)財(cái)報(bào)信息，今年上半年三星電子在芯片基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域投入了超過23萬億韓元，這一數(shù)據(jù)是去年同期的兩倍。此外為了守住ASML這一重要合作伙伴，三星電子曾于2012年以7000億韓元左右的價(jià)格收購了ASML 3%的股份，成為其第二大股東。

不過，存儲行業(yè)的價(jià)格波動也讓三星電子的業(yè)績受到影響，未來先進(jìn)制程上的成本與利潤的平衡將是三星下一階段的重要挑戰(zhàn)。

存儲大廠“逐鹿”先進(jìn)制程

極紫外光刻機(jī)（Extreme Ultra-violet），又通常被稱為EUV光刻機(jī)，它以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)，該設(shè)備當(dāng)前可被應(yīng)用于14nm及以下的先進(jìn)制程芯片的制造。

自率先將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用于14納米DRAM芯片的量產(chǎn)，三星電子就一直力推該技術(shù)在DDR5產(chǎn)品線上的落地。

據(jù)公開信息，今年5月三星宣布開始量產(chǎn)12nm級16Gb DDR5產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比，三星稱最新產(chǎn)品的功耗降低了23%，晶圓生產(chǎn)率提高了20%，最高可支持7.2Gbps的傳輸速度。隨后今年9月，三星宣布開發(fā)出32Gb DDR5的內(nèi)存芯片，產(chǎn)品預(yù)計(jì)在今年底量產(chǎn)。

除了三星，存儲行業(yè)另外兩家巨頭也在使用先進(jìn)制程主攻DDR5。SK海力士于2021年10月推出了全球首款DDR5產(chǎn)品，搶跑另外兩家行業(yè)競爭對手。隨后今年5月，該公司宣布完成用于DRAM的第五代10納米級（1β）技術(shù)研發(fā)，并稱將向英特爾供應(yīng)內(nèi)置該技術(shù)的相關(guān)產(chǎn)品。

從時(shí)間上來看，三星于2021年將EUV技術(shù)引入行業(yè)，相比之下美光的技術(shù)路線規(guī)劃起步較晚。美光計(jì)劃從2024年開始將EUV納入DRAM開發(fā)路線圖。今年10月，該公司宣布已將1β制程技術(shù)應(yīng)用于16Gb DDR5內(nèi)存開發(fā)，已面向數(shù)據(jù)中心及PC市場的所有客戶出貨。

縱觀市場，盡管在整個(gè)存儲行業(yè)經(jīng)歷下行周期的背景下上述三家大廠都遭受了降價(jià)、減產(chǎn)和去庫存的挫折，不過這似乎并沒有影響各家推動DDR5產(chǎn)品的布局。美光科技在9月末的業(yè)績說明會議上表示，公司預(yù)計(jì)其DDR5出貨量將在2024年第一季度末超過DDR4，超過行業(yè)進(jìn)展速度。

聚焦先進(jìn)制程為存儲產(chǎn)品性能帶來的加持，當(dāng)前已有不少應(yīng)用廠商推出了面向DDR5的硬件設(shè)備，如英特爾的MeteorLake處理器僅支持DDR5和LPDDR5；AMD的Ryzen 7000也僅支持DDR5。市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole Development分析指出，從DDR4到DDR5的內(nèi)存過渡將會非常迅速。TrendForce集邦咨詢預(yù)計(jì)，2023~2027年全球晶圓代工成熟制程（28nm及以上）及先進(jìn)制程（16nm及以下）產(chǎn)能比重大約維持在7:3。

三星的挑戰(zhàn)

隨著存儲行業(yè)邁入下行周期，三星電子今年上半年以來的業(yè)績受到影響。

為了緩解資金壓力，三星電子除了向母公司三星集團(tuán)借了20萬億韓元外還出售了部分比亞迪和SFA Engineering的股份。與此同時(shí)，三星電子也在陸續(xù)出售ASML的股份，截至今年6月底，三星電子對ASML的持股比例從原來的3%下降到僅剩0.7%。

同時(shí)有行業(yè)人士觀察發(fā)現(xiàn)，盡管三星電子當(dāng)前在存儲市場份額方面穩(wěn)坐“頭把交椅”，不過從DDR5市場來看，SK海力士的產(chǎn)品由于市場進(jìn)入時(shí)間更早、良率更高，因此似乎更受歡迎。新韓投資證券分析指出，在DRAM三巨頭三星、美光、SK海力士之中，SK海力士新一代制程（1β）發(fā)展進(jìn)度相對領(lǐng)先，預(yù)計(jì)到2024年SK海力士可以在DDR5領(lǐng)域拿下市占冠軍的寶座。

TrendForce集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮分析，三星電子當(dāng)前正努力在先進(jìn)制程領(lǐng)域追趕臺積電。

在先進(jìn)制程領(lǐng)域，臺積電一直是行業(yè)企業(yè)競爭的對象。2023年第三季度，臺積電3nm制程 占總營收比例比達(dá)到6%；5納米占37%；7納米占16%，整體先進(jìn)制程（7nm 含以下）營收占比已達(dá)近六成。

臺積電總裁魏哲家在最近召開的一場業(yè)績說明會上指出，3納米制程良率較好，下半年需求受益于高性能計(jì)算及智能手機(jī)驅(qū)動，全年?duì)I收貢獻(xiàn)預(yù)計(jì)約4%至6％，到明年還會更高。而N3E制程已通過驗(yàn)證并達(dá)良率目標(biāo)，將于第三季度量產(chǎn)。他認(rèn)為，3納米將作為一個(gè)長期工藝節(jié)點(diǎn)，未來將持續(xù)發(fā)展N3P、N3X等制程。

至于更先進(jìn)的2納米N2制程，魏哲家表示，研發(fā)進(jìn)展順利，將如期于2025年進(jìn)入量產(chǎn)。他指出，AI相關(guān)需求要求能效提升，因此客戶參與程度和時(shí)間均較早，對2納米的興趣將與3納米相當(dāng)或更高，預(yù)期2納米制程于2025年量產(chǎn)推出后，將是業(yè)界最先進(jìn)制程。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢提供的調(diào)研數(shù)據(jù)，2023年第四季度，三星電子8英寸工廠的產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)約為41%，居于行業(yè)底部水平，12英寸產(chǎn)能利用率約為66%，居于行業(yè)中等偏下水平。

“從12英寸產(chǎn)能利用率較低的狀況就可以看出，如果沒有更多的客戶訂單，三星電子的工藝很難改善良率。” 郭祚榮表示。