眾所周知，隨著芯片工藝的不斷前進，光刻機也是不斷的改進，越來越先進，越來越精密。

比如普通DUV光刻機，只能生產最低65nm的芯片，而浸潤式DUV光刻機，則能生產最低7nm芯片，EUV光刻機則能生產5nm及以下的芯片。

可以說芯片工藝，與光刻機是相互促進的。

有了先進的光刻機，才能生產先進工藝的芯片。同時先進工藝的芯片，又推動光刻機的發展。

按照專家們的說法，目前的EUV光刻機，理論上能夠制造2nm左右的芯片，而下代的EUV光刻機，理論上能夠制造1nm左右的芯片。

然后芯片工藝想要再進前，則需要EUV繼續升級突破，或者換成另外的光刻機，那么問題來了，EUV光刻機之后，光刻機的發展會是朝哪里突破？

事實上，三十年來ASML的技術領路人，ASML的聯席總裁范登布林克就表示過，當EUV光刻機出貨NA=0.55的High-NA EUV光刻機后，就無法再前進了，這將是最后一代EUV產品。

為何這么說呢，因為從現有的技術來看，EUV光刻機前進的三個方向，都已經是絕路了，至少在范登布林克認為，目前已經是技術的極限，跨不過去了。

對于EUV光刻機而言，突破只能從三個方向去努力。

一個方向是將13.5nm波長的光源換成更小波長的光源，但是目前的實驗表明，波長再低，會被幾乎所有的材料吸收，必須通過反射鏡來反射，而經過收集反射后，光損失會非常嚴重，無法收集到足夠的能量來進行光刻。

第二個方向則是提高NA值，也就是數值孔徑，因為NA越大，收集和聚焦光就越多，但ASML認為，達到0.55后，也無法提升了。

還有一個方向則是提高光刻工藝因子，從而提高光刻的分辨率，但ASML認為，目前也達到了物理極限，供應鏈們難有突破。

所以ASML認為，當NA推進到0.55之后，EUV光刻機的發展，就達到了盡頭，前面就是絕路了，至于接下來會是什么樣的光刻機，ASML也沒想清楚。

也許需要林本堅當初提出浸潤式光刻機這種顛覆性的思路，也許要換成其它類型的光刻機。不過ASML日前已經宣布，聯席總裁溫寧克和范登布林克明年4月份退休，所以接下來突破的事，要交給他們的繼任者了。