一石擊水，總會激起千層浪。近期，存儲芯片市場再次蕩起漣漪，除了芯片價(jià)格上漲、部分產(chǎn)品缺貨外，兩大存儲原廠三星和SK海力士分別針對未來的市場狀況進(jìn)一步增加設(shè)備資支出與產(chǎn)能。業(yè)界認(rèn)為，這兩家公司針對未來市場狀況做出的系列舉措，將牽動整體市場變化。


兩大原廠擬提高明年設(shè)備支出與產(chǎn)能

據(jù)韓國媒體《ETNews》18日報(bào)道，兩大存儲原廠三星和SK海力士正在計(jì)劃增加明年半導(dǎo)體設(shè)備投資，其中三星電子計(jì)劃投資約27萬億韓元，SK海力士計(jì)劃投資約5.3萬億韓元；與今年相比，投資額分別增長25%和100%。

同時，除了提高設(shè)備投資資本外，兩家公司還調(diào)高了明年的出貨量，三星計(jì)劃將DRAM和NAND產(chǎn)量分別擴(kuò)大約24%，SK海力士則計(jì)劃擴(kuò)大生產(chǎn)，重點(diǎn)關(guān)注HBM等尖端DRAM，將DRAM產(chǎn)量提高到2022年底前的水平。

TrendForce集邦咨詢12月調(diào)查顯示，DRAM領(lǐng)域第四季三星減產(chǎn)幅度會擴(kuò)大至30%，總投片量下滑，三星認(rèn)為2024下半年旺季需求將有所回溫，故投片將于明年第二季開始提升。SK海力士受惠于HBM及DDR5出貨增長，產(chǎn)能小幅回升，投片量至今年底會小幅上升，搭配明年DDR5于終端滲透提升，預(yù)期總投片量將逐季上升。

SK海力士近日在IEDM 2023全球半導(dǎo)體大會上透露，其用于HBM制造的混合鍵合工藝已獲得可靠性認(rèn)證。SK海力士第三代HBM（HBM2E）將DRAM堆疊成8層，在使用混合鍵合工藝制造后，通過了所有方面的可靠性測試。

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，在2023年第三季度NAND Flash市場中，三星以31.4%的市占率占據(jù)全球第一，其次是SK集團(tuán)（SK海力士+Solidigm），市占率為20.2%；在DRAM市場中，三星（38.9%）仍是第一，SK集團(tuán)（34.3%）位居第二。

業(yè)界認(rèn)為，兩家公司增加設(shè)備投資和產(chǎn)量的原因是為改善行業(yè)狀況做好準(zhǔn)備。因?yàn)楸M管全球經(jīng)濟(jì)的不確定性依然存在，但有多種解讀認(rèn)為今年存儲產(chǎn)業(yè)已經(jīng)觸底，回暖在即。

此外，摩根士丹利表示，設(shè)備上的 AI（人工智能）將創(chuàng)造新的需求。AI需要大容量存儲器，這也具有擴(kuò)大高價(jià)值存儲器市場需求的作用。


存儲芯片熬過寒冬

迎來上漲周期

存儲芯片行業(yè)熬過了凜冽寒冬，正迎來周期性需求改善。

摩根士丹利在周三的報(bào)告中再次上調(diào)存儲芯片漲價(jià)預(yù)期，其指出從修正后的每股收益來看，美股內(nèi)存股現(xiàn)在較上一個周期要便宜得多，存儲芯片行業(yè)將進(jìn)入周期性增長加速、需求明顯提高的時期。

大摩在報(bào)告中指出，下游補(bǔ)庫存，供給遠(yuǎn)低于需求，明年一季度存儲芯片價(jià)格有望大幅上漲：

我們預(yù)計(jì)DRAM（內(nèi)存）和NAND（閃存）價(jià)格將在明年第一季度上漲20%，最新的預(yù)計(jì)較此前增幅翻倍，此前的預(yù)期是DRAM價(jià)格漲幅為8-13%，NAND價(jià)格漲幅為5-10%。

下游客戶已經(jīng)開始補(bǔ)庫存，中國智能手機(jī)OEM廠2024年Q1訂單量將大幅增加，電腦ODM/ OEM也在建立庫存。而智能手機(jī)制造商重新補(bǔ)庫存將帶來價(jià)格的上漲，庫存將恢復(fù)到正常水平(移動DRAM需要4-6周，NAND需要6-7周)。

從供需方面來看，存儲廠商在大幅減產(chǎn)之后，產(chǎn)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于需求，隨著著需求的改善，2024年的價(jià)格上漲前景將更加明確。

進(jìn)一步來看，大摩指出，人工智能需求將進(jìn)一步提振存儲芯片價(jià)格：

我們還需要考慮到2024年HBM芯片100億美元市場規(guī)模增長的影響，以及人工智能需求的突然出現(xiàn)將導(dǎo)致供應(yīng)短缺延長。

此外，雖然人工智能應(yīng)用程序大部分都部署在云端，但從2024年開始，邊緣需求將變得越來越普遍(移動人工智能)，并可能逐漸進(jìn)入智能手機(jī)升級周期。

總的來看，大摩認(rèn)為，隨著每股收益同比增長加速，內(nèi)存股往往表現(xiàn)優(yōu)異，現(xiàn)在剛剛進(jìn)入周期中期/樂觀階段，DRAM現(xiàn)貨價(jià)格同比為-16%，距離峰值水平仍有距離。而拋開估值不談，存儲芯片周期已經(jīng)從2023年第一季度的低點(diǎn)恢復(fù)，進(jìn)入2024年將進(jìn)一步改善。


消費(fèi)電子市場回暖拉動

存儲器在手機(jī)和PC端需求量的回升同樣拉動了價(jià)格上漲。在智能手機(jī)端，由于終端廠商去庫存進(jìn)度較快，其需求回升趨勢較為明朗。Counterpoint表示，2023年第四季度的出貨量將同比增長3%，達(dá)到3.12億臺，尤其在中東、非洲、印度等新興市場擺脫頹勢。

手機(jī)廠商“卷”存儲容量的行為也刺激了存儲市場。從近期發(fā)布的新機(jī)來看，高端智能手機(jī)的存儲容量正在逐步擴(kuò)大，更有機(jī)型達(dá)到了“24GB+1TB”的配置。不僅是高端機(jī)型，高內(nèi)存容量也逐漸向中低端滲透，消費(fèi)者對于中低端機(jī)型的內(nèi)存需求同樣在提升。

PC端的庫存消化過程雖不及智能手機(jī)迅速，但也在逐漸改善。數(shù)據(jù)顯示，2023年前三季度全球PC的出貨量超過1.8億臺，降幅收窄，且出貨量呈現(xiàn)環(huán)比增加態(tài)勢。

“此前我們的渠道還積累了較多的庫存，而現(xiàn)在庫存已經(jīng)得到了消化。”聯(lián)想集團(tuán)CEO楊元慶在11月16日的財(cái)報(bào)說明會上表示：“我們不但看到了環(huán)比增長，我估計(jì)很快會看到同比的增長。而且我們對于2024年P(guān)C市場也比較有信心，有可能恢復(fù)5%左右的增長。”

2024年被大多PC廠商視做“AI PC元年”。近日，高通、AMD、英特爾接連發(fā)布具備AI性能的處理器，加之2025年微軟的Windows 10將會停止服務(wù)，軟硬件與處理器的更新有可能拉動新一波的PC換機(jī)需求，也為存儲器——尤其是DDR5帶來一波市場增量。


AI服務(wù)器市場未來可期

在手機(jī)、PC、服務(wù)器三大存儲芯片主要合約市場中，服務(wù)器市場表現(xiàn)出“兩極分化”的態(tài)勢。一方面是傳統(tǒng)服務(wù)器市場寒冬依舊，而另一方面則是AI服務(wù)器因ChatGPT等現(xiàn)象級應(yīng)用的帶動而持續(xù)升溫。

根據(jù)集邦咨詢預(yù)測，2023年AI服務(wù)器的出貨量近120萬臺，占整體服務(wù)器出貨量9%，至2026年將占15%，而年增率達(dá)到38.4%，這一數(shù)據(jù)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)服務(wù)器的增長。

由于應(yīng)用在AI服務(wù)器的算力芯片較傳統(tǒng)服務(wù)器明顯增多，對DDR5和HBM等更高帶寬存儲器的需求也高于預(yù)期。英偉達(dá)、AMD等企業(yè)所推出的最新GPU產(chǎn)品都強(qiáng)調(diào)了帶寬和內(nèi)存的作用。英偉達(dá)H200相較于H100，在基礎(chǔ)算力性能不變的前提下將HBM3升級為HBM3E以提升存儲性能和帶寬，而AMD的MI300X則選擇使用8塊HBM3堆棧實(shí)現(xiàn)高達(dá)192GB的內(nèi)存。應(yīng)用于GPU中的HMB也同樣進(jìn)入白熱化的競爭階段。