外媒報道指被用于2納米的第二代EUV光刻機將在明年交付，不過產量將只有10臺，其中6臺已優先給予美國的芯片企業Intel，剩下的4臺將被三星、臺積電、SK海力士等爭奪，臺積電未必能搶到。

臺積電和三星當下以第一代EUV光刻機生產3納米都遇到了麻煩。臺積電繼續采用成熟的FinFET技術，以第一代EUV光刻機生產3納米，良率為55%，不如5納米的九成以上良率，還導致生產的A17處理器性能提升僅一成、功耗過高。

三星激進地采用GAA技術，以第一代EUV光刻機生產3納米，性能提升幅度未知，不過良率低至一到兩成，這也導致三星的3納米至今不知客戶是誰，業界認為沒有客戶采用，因為3納米的成本本來就高，低至兩成以下的良率更導致成本高到天上去，沒有芯片企業能夠承受。

如果3納米能采用第二代EUV光刻機生產，預計良率可以得到大幅提升，而且性能會更好，畢竟第二代EUV光刻機的光刻更精準、耗電量更小，這樣付出的成本代價才能獲得足夠的性能提升。

3納米用第一代EUV光刻機尚且無法獲得經濟的生產成本，那么就更不可能用第一代EUV光刻機生產2納米了，這是導致第二代EUV光刻機尚未正式量產就被多家芯片企業爭奪的重要原因，而且這對于美國芯片行業來說還有獨特的意義。

美國芯片的制造巨頭是Intel，Intel在2014年量產14納米兩年之后，都仍然保持著全球最先進芯片制造企業的名號，不過隨著臺積電、三星等將芯片制造工藝推進到10納米以下，而Intel卻只能繼續對14納米改良再改良，美國就失去了芯片制造工藝的優勢了。

為了重奪芯片制造領先地位，美國對臺積電和三星可謂軟硬兼施，又是技術限制威脅，又是給出520億美元芯片補貼的胡蘿卜，最終促使臺積電和三星都上交了機密數據，還赴美設廠。

臺積電不僅同意赴美設廠生產4納米，還同意投資400億美元在美國建設最先進的3納米工藝，還在美國的逼迫下上交了機密數據，可以說臺積電對美國已徹底交心了。

后來美國的做法卻說明臺積電并未被它視為自己人，先是在芯片補貼分配方面糊弄了臺積電，只給予臺積電10%的芯片補貼，補貼份額還不如三星的13%，后來更給出芯片補貼細則，要求臺積電共享技術和利潤，如此臺積電感覺補貼拿了不劃算，計劃舍棄補貼。

再到如今美國要求ASML將2納米光刻機優先交給Intel，這更是說明美國的目的還是扶持本土芯片企業Intel；ASML也不得不如此做，因為EUV光刻技術掌握在美國手里，當初就是美國將EUV光刻技術交給ASML而不日本的佳能、尼康導致日本光刻機產業的衰敗，自然ASML得聽美國的話。

Intel預計拿到2納米光刻機之后，Intel相當于2納米的工藝將在2025年量產，而臺積電至少得等到2026年，這中間或許還會有其他手段阻礙臺積電發展2納米工藝，美國重奪芯片制造工藝領先優勢已幾乎是板上釘釘了。

可以看出美國為了確保Intel再次取得芯片制造工藝領先優勢，必然會使出諸多手段，阻礙臺積電的2納米工藝先于Intel量產，業界認為無論臺積電如何親近美國，美國都會打壓它而扶持Intel，臺積電這次在先進工藝制程方面真的被美國卡脖子啦。