外媒報道指ASML今年量產的10臺2納米光刻機將有6臺優先交付給Intel，這意味著臺積電和三星將只能爭奪剩下的4臺，并且這4臺光刻機的量產時間也較晚，將導致它們在2納米工藝研發方面落后于Intel。

今天了曾長達20多年引領全球芯片制造工藝，也正是由于它擁有先進的工藝，導致AMD在PC處理器市場競爭中落敗，而始終難以真正實現對Intel的超越。

不過自從2014年量產14納米之后，Intel的創新步伐就開始放緩，10納米工藝延遲了3年時間，7納米工藝也延遲了2年時間，而臺積電、三星則保持了1-2年量產一代先進工藝，到如今臺積電和三星已量產了3納米工藝，Intel的最先進工藝則停留在7納米。

先進工藝發展到3納米已面臨新的瓶頸，三星激進采用GAA技術導致芯片工藝良率低至兩成以下，臺積電保守一些采用了原來的FinFET技術，但是良率也只有55%左右，但是卻導致生產的A17處理器性能僅提升一成還存在功耗過高的問題。

導致3納米工藝存在弊病，一方面在于先進工藝逐漸接近1納米的極限，另一方面則是現有的第一代EUV光刻機并不適合生產3納米工藝，如此情況下，Intel、臺積電和三星都開始爭奪ASML第二代EUV光刻機，也就是2納米光刻機。

ASML雖然是全球最大的光刻機制造企業，并且也是唯一可以生產EUV光刻機的企業，不過EUV光刻技術卻是來自美國，當初美國成立EUV聯盟研發成功EUV光刻技術，繞開了日本的光刻機企業，而將該項技術交給ASML，由此ASML徹底奠定光刻機老大的地位。

如此情況下，ASML就必須聽從美國的要求，而如今ASML即將量產2納米光刻機，卻將其中的六成優先交給Intel，中間有沒有美國的影響不言自明，這也說明了美國還是更相信自己的本土企業，對三星和臺積電不放心。

對比之下，此前三星和臺積電可以說是對美國掏心掏肺，美國要求上交機密數據，他們交了；美國要求他們赴美設廠，他們也做了，然而他們言聽計從的結果卻是后來美國屢屢違背承諾。

美國承諾只要臺積電和三星赴美設廠，那么就給予豐厚的芯片補貼，然而在臺積電和三星正式赴美設廠后，美國卻分別只給予10%、13%的芯片補貼，隨后提出的芯片細則又要求它們共享芯片技術并分享利潤，核心技術可是企業的命根子，如此也就是變相要求臺積電和三星舍棄這部分有限的芯片補貼。

到如今美國在2納米光刻機上作梗，而Intel則優先得到最多的2納米光刻機，一切都顯示出美國的心思就是扶持Intel再度取得芯片制造技術領先優勢，只有作為美國本土企業的Intel才能讓美國放心，這是有先例的，當年通用電氣和阿爾斯通在電氣市場競爭失敗，阿爾斯通隨即發生了諸多事情，最終阿爾斯通不得不低價將電氣業務賣給通用。

臺積電此刻恐怕感嘆，“我本將心照明月,無奈明月照溝渠”，在3納米工藝上已受挫，如果再在2納米工藝研發方面落后，那么他的輝煌或許將就此終結，因為Intel不僅要重奪先進工藝，還大舉搶占芯片代工市場，Intel已首次躋身全球芯片代工TOP10，搶走了臺積電的部分訂單，Intel未來或許會成為臺積電的巨大威脅。