分析指出2023年中國占全球芯片產能的比例已達到24%，美國占全球的芯片產能則進一步下滑至接近11%，顯示出美國這幾年掏出500億美元以及拉攏臺積電和三星赴美設廠都未能改變美國在芯片制造行業(yè)的衰落。

美國早幾年就逐漸認識到芯片制造產能轉移將對美國芯片的發(fā)展不利，為此美國宣布推出500多億美元芯片補貼計劃，促使美國本土的Intel、美光等加速擴張芯片工廠，同時還施壓臺積電和三星同意赴美設廠。

然而臺積電和三星赴美設廠后，卻發(fā)現(xiàn)被美國擺了一道，美國承諾的巨額芯片補貼最終只分別給予臺積電10%、三星13%份額，還不足他們赴美設廠投資額的一成，而且隨后美國給出的芯片補貼細則更是讓這些芯片制造企業(yè)不愿接受這部分芯片補貼。

另一方面臺積電、三星赴美設廠后，發(fā)現(xiàn)美國制造芯片的成本增加幅度不是五成，跟隨臺積電赴美設廠的產業(yè)鏈人士指出在美國制造芯片可能比中國臺灣高出三倍，而且美國還找不到足夠的芯片制造技術人才，又不許臺積電從中國臺灣輸送太多的芯片制造技術人才，導致他們的工廠量產進程緩慢。

臺積電和三星的遭遇自然也在美國芯片企業(yè)身上有所反映，Intel最先進的Intel 4工廠就沒有設立在美國，而是設立在愛爾蘭，這都導致美國的芯片制造產能回升緩慢，直接導致的結果就是美國占全球芯片產能的比例繼續(xù)下降。

與美國形成鮮明對比的則是中國，中國從早幾年開始決定大舉發(fā)展芯片制造，在面臨美國阻撓ASML等先進芯片設備商給中國供應先進設備的情況下，中國決定先發(fā)展成熟工藝，由此大舉建設數(shù)十座芯片工廠。

2016年中國的芯片產能已超越美國，2020年中國的芯片制造產能占全球的份額已達到16%，而美國占的比例則下滑至12%，顯示出中國大舉擴張芯片制造產能已取得成效，目前中國已建成的芯片工廠達到40多座，還有20多座在建設中。

在芯片制造產能快速擴張的同時，中國在芯片設計產業(yè)也是遍地開花，在存儲芯片、模擬芯片、射頻芯片等行業(yè)打破了空白，這些芯片都可以10納米以上工藝生產，而中國已量產的工藝都能滿足要求，這也進一步支持了中國芯片產能的擴張。

隨著中國芯片制造產能的上漲，中國制造的成本優(yōu)勢開始發(fā)揮威力，去年下半年以來中國芯片制造企業(yè)開出極具競爭力的代工價格，由此促使三星、臺聯(lián)電、力積電等被迫跟進降價，可以看出中國大舉擴張芯片制造產能給全球芯片行業(yè)帶來的巨大影響。

美國掏出500多億美元本意是為了擴張芯片制造產能，同時提升工藝水平，然而如今看來都未能實現(xiàn)目的，芯片產能落后于中國，先進工藝水平仍然跟不上臺積電和三星，這讓美國芯片都頗為不好看，凸顯出美國芯片行業(yè)越來越不長進了，而中國芯片則依托于現(xiàn)有的設備實現(xiàn)了快速升級。