日前分析機(jī)構(gòu)給出的數(shù)據(jù)指出，全球存儲芯片價格已連漲3個月，上漲幅度達(dá)到20%，美日韓的存儲芯片企業(yè)最終目標(biāo)是希望推動存儲芯片價格上漲五成，目標(biāo)無疑是收割中國市場。

中國為全球最大的芯片采購國，采購了全球近七成的芯片，如此龐大的市場，對于芯片行業(yè)來說當(dāng)然難以割舍，都希望從這個龐大的市場獲得巨額的收益，而在過去兩三年美國曾推動芯片價格飆漲，讓美國芯片企業(yè)獲得了豐厚的利潤。

但是從2022年下半年以來，中國在諸多芯片行業(yè)取得突破，其中存儲芯片正是其中之一，當(dāng)時中國的存儲芯片甚至率先量產(chǎn)了全球最先進(jìn)的232層NAND flash芯片，由此打破了美日韓在存儲芯片市場的壟斷。

中國存儲芯片在技術(shù)和成本方面都有優(yōu)勢，快速搶占市場，推動全球存儲芯片價格急跌，從2022年下半年到2023年上半年存儲芯片價格就接近腰斬，面對中國存儲芯片的快速發(fā)展，美國開始出手了。

美國不僅不許ASML等先進(jìn)芯片設(shè)備企業(yè)出售設(shè)備給中國的存儲芯片企業(yè)，甚至還表示已出售給中國存儲芯片的光刻機(jī)等也將加以限制，以至于當(dāng)時一家存儲芯片企業(yè)高管表示世界上從沒有如此例子，賣給了客戶的設(shè)備還要限制還不負(fù)責(zé)售后。

在巨大的壓力下，中國存儲芯片的技術(shù)研發(fā)被迫放緩，而美日韓的存儲芯片企業(yè)卻加速技術(shù)研發(fā)，2023年中國的存儲芯片企業(yè)還停留在232層NAND flash技術(shù)上，而美日韓的存儲芯片企業(yè)表示他們已成功研發(fā)300層以上的NAND flash存儲芯片。

在芯片技術(shù)方面再度取得優(yōu)勢后，美日韓存儲芯片企業(yè)就開始再度醞釀漲價，到如今存儲芯片價格已提升20%，意味著它們確實(shí)在聯(lián)合利用市場份額和技術(shù)優(yōu)勢再度推升存儲芯片的價格，這將為它們贏得豐厚利潤。

這凸顯出美國利用對存儲芯片技術(shù)的壟斷優(yōu)勢，目的是繼續(xù)利用這種技術(shù)壟斷獲取豐厚的利潤，為此他們不惜采取各種非常手段，打斷全球芯片供應(yīng)鏈的正常運(yùn)作，而一旦達(dá)到目的就急不可耐地漲價。

美國所謂以安全為由不過是幌子罷了，最終目的是確保美國芯片的壟斷霸權(quán)，然后再利用這種壟斷優(yōu)勢攫取超出常理的利潤，所有的一切都是為了這樣的目的，而存儲芯片似乎已成為美國壓制中國芯片技術(shù)發(fā)展并再度取得領(lǐng)導(dǎo)地位的芯片行業(yè)。

中國作為全球最大的芯片采購國，對此產(chǎn)生擔(dān)憂，這種人為因素造成的芯片供應(yīng)中斷，對中國制造的產(chǎn)業(yè)安全造成巨大的風(fēng)險，中國自然不會坐視，積極尋求機(jī)會沖破諸多限制，發(fā)展國內(nèi)的芯片產(chǎn)業(yè)鏈，日前就有消息指出中國利用現(xiàn)有的設(shè)備可望量產(chǎn)5納米工藝，凸顯出中國芯片行業(yè)不屈不撓的精神。