近日，韓國存儲器巨頭SK海力士（SK hynix）確認高帶寬記憶體（HBM）銷售創(chuàng)紀錄，2024年全年HBM產能已全部售罄，預示著內存市場即將迎來復蘇。

根據SK海力士副社長金起臺（Kim Ki-tae）在官方博客的表述，過去幾個月HBM的銷售創(chuàng)下歷史新高，成功帶動了公司第四季度的盈利。金起臺指出，生成式人工智能服務的日益多樣化和持續(xù)發(fā)展，作為AI存儲器解決方案的HBM需求也出現(xiàn)爆炸性增長。

HBM作為一款高效能、高容量的內存產品，被認為具有里程碑意義，顛覆了傳統(tǒng)觀念中內存只是整個系統(tǒng)一部分的看法。SK海力士憑借卓越的技術實力在全球大型科技公司中備受青睞，其HBM在市場上取得了領先地位。

金起臺透露，盡管外部仍存在不穩(wěn)定因素，但2024年存儲器市場有望逐漸加溫。全球大型科技客戶的產品需求復蘇是其中一個重要原因。隨著PC、智能手機等AI裝置對人工智能應用的提升，HBM3E、DDR5、LPDDR5T等產品的需求也將增加，為內存市場帶來新的增長動力。

SK海力士早已著眼未來，為了保持市場領先地位，公司已經開始為2025年預作準備。此外，有消息稱SK海力士選定印第安納州建造先進封裝廠，專注于3D堆疊制程，為HBM制造提供更強大的支持。這也是美國政府為降低對臺灣先進芯片依賴而提出的戰(zhàn)略之一。

SK海力士表示，今年底的HBM生產配額已全部售罄，公司已經在積極爭取客戶購買量，以更有利的條件銷售高質量產品。面對內存市場的激烈競爭，SK海力士通過提前做好應對人工智能時代到來的準備，成功占據了市場領先地位。


AI掀起存儲芯片戰(zhàn)爭

對于韓國半導體行業(yè)來說，去年有一個壞消息，也有一個好消息。壞消息是內存和存儲行業(yè)進入到了下行周期，庫存飆升，售價猛跌，韓國半導體廠商為此蒙受了巨額的虧損。

而好消息是在下行周期中，由于英偉達AI加速卡的帶動下，全世界的科技公司都開始爭搶AI芯片，至今還是供不應求的狀態(tài)，HBM便水漲船高，成為逆勢大漲的內存產品。

而英偉達的產能之所以上不來，很大程度就是因為HBM不夠用。英偉達的每塊H100芯片都要用到六顆HBM3芯片，總容量可達80GB。而新推出的H200 AI加速卡，需要采用新升級的HBM3e芯片，總容量可增至141GB。

HBM(高寬帶內存)被認為是加速下一代AI技術發(fā)展的先進存儲技術。隨著GPU功能越來越強大，需要更快的從內存中訪問數據，以縮短應用處理時間。簡單的說，HBM就是將很多個DDR芯片堆疊起來，與GPU封裝在一起，實現(xiàn)更大容量和更快的傳輸速度，與傳統(tǒng)DRAM相比可提高十多倍。

AI服務器需要在短時間內處理大量數據，而HBM基本是標配。此外未來在智能駕駛、AR、VR等領域，都需要HBM更強大的帶寬來助力產品性能提升。

我們都知道，全球存儲芯片市場一直都是"三分天下"，三星與SK海力士兩家公司就占據七成市場，排名第三的美光則有20個點以上的市占。在HBM市場同樣如此，三星、SK海力士、美光均已布局HBM芯片多年，三星和海力士分別占據了四成和五成的份額，美光僅占10個點，并且將HBM研發(fā)作為優(yōu)先事項，量產當前先進的HBM3e產品。

為了支持HBM的發(fā)展，韓國近期還將HBM確定為國家戰(zhàn)略技術，為HBM供應商提供稅收優(yōu)惠。除了破產外，迭代更快的一方，才握有下一代HBM4技術標準的話語權。因為HBM用于AI芯片主要賣點就是性能"，一塊強大的AI芯片能大幅縮短訓練模型的時間。對科技公司而言，盡早將大模型投向市場，多花點也值得。也就有了OpenAi負責人提出籌集7萬億美元來增加全球GPU芯片的儲備，解決芯片短缺，將人工智能技術推向新高度的大膽想法。

AI發(fā)展不僅需要高算力芯片，同時對高性能、高附加值的HBM需求也在猛增。只要AI熱潮還未褪去，毋庸置疑的是HBM相關產業(yè)鏈將是所有芯片廠商的機會新風口。相信在今年三星和SK海力士兩家不同技術路徑的情況下，還會做出更多的新動作，競爭HBM市場。


內存價格漲勢或確定

此前TrendForce的市場研究顯示，2024年DRAM合約價預計維持增長，其中2024年第一季度DRAM合約價季漲幅約13——18%，第二季度合約價季漲幅減則是3——8%，第三季度合約價季漲幅8——13%，第四季度合約價季漲幅約8——13%。至少從市場研究調查機構的角度來看，今年內存漲價似乎已不可避免。

據博板堂報道，近期金士頓內存拉動的價格行情，預計會到一個較高的預期，內存的漲價行情至少會持續(xù)半年左右的時候。看起來DRAM合約價上漲的趨勢，已落到了具體的內存產品行情上。

從上游傳遞的信息來看，后面價格往上漲的決心較大，原廠顆粒廠商堅信要不斷拉漲，而且?guī)状髲S商比較齊心。由于過去一年實施的減產已逐漸凸顯效應，所以原廠不是特別著急出貨，更加下定了2024年不斷拉漲的決心。此外，過去兩年內存需求的趨勢也是增長的，幅度也不小，特別是筆記本電腦和服務器的需求增長較大。與此同時，HBM產品消耗了原廠不少產能。雖然總體趨勢較為確定，但是不排除中間會有震蕩的機會。

目前內存市場正處于DDR4過渡到DDR5的時期，不過更替的時間段很可能會延后至今年第三季度到第四季度之間，屆時兩種不同內存的價格走勢會產生比較大的變化。