韓媒報(bào)道指三星預(yù)估利潤增長669%，主要原因是它的存儲芯片業(yè)務(wù)利潤大幅增長所致，這意味著存儲芯片從去年底以來聯(lián)合漲價(jià)取得了成功，顯然依然壟斷著存儲芯片市場的美系芯片在這波漲價(jià)中獲益巨大，而中國制造則為此付出了不小的代價(jià)。

全球前四大存儲芯片企業(yè)分別是三星、日本鎧俠、SK海力士和美光等，它們合計(jì)占有存儲芯片市場超過九成的市場份額，而中國剛剛興起的存儲芯片占有的份額低至4%左右，顯然美系芯片仍然壟斷著存儲芯片市場。

2022年中國存儲芯片率先量產(chǎn)232層NAND flash存儲芯片，由此中國存儲芯片一度取得技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，再加上中國存儲芯片的二期工程開始量產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)模增加兩倍，這對全球存儲芯片造成了很大的影響。

中國存儲芯片為了降低國內(nèi)制造業(yè)的成本，同時(shí)希望迅速打開局面，中國存儲芯片以較低的價(jià)格搶占市場，中國企業(yè)推出的2TB固態(tài)硬盤當(dāng)時(shí)直逼500元，而此前外資固態(tài)硬盤價(jià)格普遍超千元。

隨著中國存儲芯片展開猛烈的攻勢，全球存儲芯片的價(jià)格快速下跌，到2023年上半年，存儲芯片的價(jià)格近乎腰斬，這就導(dǎo)致三星的存儲芯片業(yè)務(wù)出現(xiàn)虧損，美光更是在2023年上半年巨虧42億美元。

眼見著中國存儲芯片的快速突破，美國突然出手，限制海外芯片設(shè)備和材料企業(yè)為這家中國存儲芯片企業(yè)供應(yīng)設(shè)備和材料，導(dǎo)致這家中國存儲芯片企業(yè)這兩年的技術(shù)仍然停留在232層。

在中國存儲芯片的技術(shù)研發(fā)陷入停滯之后，三星、美光等在2023年卻率先量產(chǎn)了300層以上的NAND flash芯片，技術(shù)的再度領(lǐng)先以及超過九成的市場份額，讓它們再次取得市場主導(dǎo)權(quán)，隨即它們在去年下半年開始連續(xù)漲價(jià)。

隨著它們推動存儲芯片價(jià)格的上漲，固態(tài)硬盤的價(jià)格已在半年時(shí)間內(nèi)大幅上漲，部分固態(tài)硬盤的價(jià)格甚至上漲五成，從三星公布的業(yè)績預(yù)告可以看出，這輪漲價(jià)讓三星獲利豐厚，不僅迅速扭虧為盈，盈利還大幅增長了，預(yù)計(jì)美光、SK海力士和日本鎧俠等的利潤也將大幅上漲。

中國作為全球最大的芯片進(jìn)口國--采購了全球近七成的芯片，存儲芯片正是中國進(jìn)口的芯片之一，預(yù)估中國進(jìn)口存儲芯片每年多付出的金額可能達(dá)到300億美元，而這些多支付的采購金額就成為三星、美光等的利潤。

由此可以看出中國自主研發(fā)芯片的重要性，只要中國的存儲芯片能取得技術(shù)優(yōu)勢，在產(chǎn)能方面也加快擴(kuò)張，擁有一定的話語權(quán)，那么這些海外芯片企業(yè)必然不敢如此大幅漲價(jià)，相信中國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)將會加快技術(shù)研發(fā)，再度突破，這些海外芯片企業(yè)的技術(shù)優(yōu)勢無法長久。